[发明专利]大电流半导体功率器件

说明书

本发明涉及半导体器件，尤其是一种具有一种大电流半导体功率器件，属于半导体器件封装技术领域。所述大电流半导体功率器件包括：引线框架，所述引线框架包括载片基岛区和引脚组件；所述引脚组件包括第一引脚，所述第一引脚包括连为一体的键合部和引出部；所述第一引脚的引出部有多个；所述第一引脚还包括连接部，第一引脚的引出部两两通过所述连接部相连；半导体芯片，所述半导体芯片设于所述载片基岛区中，所述半导体芯片通过键合件与引脚组件连接；和封装树脂。所述大电流半导体功率器件能够增大了器件源极引脚与PCB板的接触面积以及提高了PCB板之间焊接的牢固性与可靠性，从而提高了器件在系统应用中的电流能力。

技术领域

本发明涉及半导体器件，尤其是一种具有一种大电流半导体功率器件，属于半导体器件封装技术领域。

背景技术

功率半导体封装已随着印刷电路板技术的发展而从通孔向表面安装封装发展。表面安装封装总体包括引线框架，半导体芯片被安装在该引线框架上。半导体器件和引线框的一部分通常用树脂材料密封。

半导体功率器件封装中重点考虑的问题包括高热耗散，低寄生电感，半导体器件和周围电路之间的低电阻。在大电流应用中，功率器件的电流能力往往取决于封装引线框架上键合的引线根数以及引脚与PCB板之间的焊接面积。常见的贴片式半导体功率器件的封装包括DFN封装，其引脚电流能力小，与PCB版之间的焊接面积小，热阻偏大，导致在大电流的应用中器件性能不佳。

发明内容

为了解决现有技术中存在的不足，本发明提供了一种大电流半导体功率器件，所述大电流半导体功率器件能够增大了器件源极引脚与PCB板的接触面积，使得在焊接时能够顺利爬锡，提高了PCB板之间焊接的牢固性与可靠性，从而提高了器件在系统应用中的电流能力。

根据本发明提供的技术方案，一种大电流半导体功率器件，所述大电流半导体功率器件包括：

引线框架，所述引线框架包括载片基岛区和引脚组件；所述引脚组件包括第一引脚，所述第一引脚包括连为一体的键合部和引出部；所述第一引脚的引出部有多个；所述第一引脚还包括连接部，第一引脚的引出部两两通过所述连接部相连；

半导体芯片，所述半导体芯片设于所述载片基岛区中，所述半导体芯片通过键合件与引脚组件连接；

和封装树脂。

进一步地，每个所述第一引脚引出部的宽度范围为0.5mm~3mm，长度范围为0.65mm~10mm；第一引脚的相邻两个引出部之间的距离范围为0.5mm~3mm。

进一步地，所述引脚组件还包括第二引脚，所述第二引脚包括连为一体的键合部和引出部；且所述第二引脚与所述第一引脚由所述封装树脂隔离。

进一步地，所述封装树脂将半导体芯片、键合件以及引脚组件盖封在引线框架上，且所述第一引脚和第二引脚的引出部从所述封装树脂中外露。

进一步地，第二引脚引出部的宽度范围为0.5mm~3mm，长度范围为0.65mm~10mm。

进一步地，所述半导体芯片包括相对的第一主面和第二主面，半导体芯片的第一主面贴在引线框架的载片基岛区上，第二主面包括第一电极和第二电极，所述第一电极通过键合件与第一引脚的键合部连接，第二电极与第二引脚的键合部连接。

进一步地，半导体芯片包括MOSFET芯片，MOSFET芯片的第一主面贴在引线框架的载片基岛区上，所述MOSFET芯片第二主面设有栅极和源极，所述MOSFET芯片的源极为半导体芯片的第一电极，MOSFET芯片的栅极为半导体芯片的第二电极。

进一步地，半导体芯片包括IGBT芯片和FRD芯片，IGBT芯片的第一主面和FRD芯片的第一主面均贴在引线框架的载片基岛区上；