[发明专利]选择性移动LED芯片的装置及方法、微发光二极管的转移装置及方法在审

专利信息
申请号: 201910470323.X 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN112017990A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 洪志毅;刘玉春;王程功;邢汝博 申请(专利权)人: 云谷(固安)科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/677;H01L33/00
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 韩晓园
地址: 065500 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 选择性 移动 led 芯片 装置 方法 发光二极管 转移
【说明书】:

本申请提供一种选择性移动LED芯片的装置及方法、微发光二极管的转移装置及方法。选择性移动LED芯片的装置包括光源,所述光源发出光束,所述光束与待转移的LED芯片一一对应;光束控制单元,所述光束控制单元与所述光源相配合以调整所述光束的对称中心点。当检测到不达标LED芯片后,通过改变光束在LED芯片上形成的光斑的对称中心点位置使其与LED芯片的对称中心点相错位,LED芯片上不同方向上受到的光动量不同,进而利用光动量操控微米级别的LED芯片移动至转移区域外,确保保留的LED芯片性质相同,便于在原来不达标LED芯片位置处修补新的LED芯片、后续批量转移LED芯片,提高工作效率,且减少了micro‑LED微显上面LED芯片的差异。

技术领域

发明涉及用于显示的微发光二极管的制造领域,具体涉及一种选择性移动LED芯片的装置及方法、微发光二极管的转移装置及方法,能够在向背板或暂存板批量转移LED芯片前选择性地移动不达标LED芯片。

背景技术

微发光二极管(micro LED)技术,是将LED芯片的结构设计薄膜化、微小化、在衬底上以高密度集成的微小尺寸的LED阵列。

微发光二极管制造过程中一个很重要的步骤是将LED芯片从最初生长的基底上转运到背板或暂存板上。目前业界通常采用的转移技术有范德华力、静电吸附、相变化转移和激光烧蚀四大技术,但如何能快速高效地转移LED芯片仍然是微发光二极管的技术发展难点之一。

发明内容

本发明提供一种选择性移动LED芯片的装置及方法、微发光二极管的转移装置及方法,能够在向背板或暂存板批量转移LED芯片前选择性地移动不达标LED芯片。

本发明提供一种选择性移动LED芯片的装置,包括:

光源,所述光源发出光束,所述光束与待转移的LED芯片一一对应;

光束控制单元,所述光束控制单元与所述光源相配合以调整所述光束的对称中心点。

通过所述光束控制单元改变所述光束在LED芯片上形成的光斑的对称中心点位置,当光斑的对称中心点与LED芯片的对称中心点重合时,整个LED芯片上的受光均匀,不会发生偏移,可以通过观察LED芯片的荧光发光检测LED芯片是否有达标;当光斑的对称中心点与LED芯片的对称中心点相错位时,LED芯片上不同方向上受到的光动量不同,进而利用光动量操控微米级别的LED芯片移动至转移区域外,即从原来的位置处移动了LED芯片;确保保留的LED芯片均达标,便于在原来不达标LED芯片位置处修补新的LED芯片、后续批量转移LED芯片,提高工作效率,且减少了micro-LED微显上面LED芯片的差异。

作为本申请的进一步改进,所述光束控制单元为位于所述光源一侧的遮光板,所述遮光板具有与待转移的LED芯片一一对应且对称中心点位置可调的透光孔;通过对称中心点位置可调的透光孔调整上述光束的对称中心点,进而控制在LED芯片上形成的光斑的对称中心点的位置。

优选地,所述遮光板包括基板、贯穿所述基板的若干透光孔、设置于所述基板上以打开所述透光孔或遮蔽部分所述透光孔的开关;通过开关全部打开所述透光孔或遮蔽部分所述透光孔来改变透光孔的面积和/或形状,从而调整透光孔的对称中心点的位置,进一步控制经由透光孔形成的光斑的对称中心点的位置。

优选地,所述开关包括设置于所述透光孔边缘的压电块、与所述压电块电性连接的电源。利用压电块通电后向外延伸的特性,在检查到不达标LED芯片时,给与不达标LED芯片相对应的压电块通电,改变与不达标LED芯片相对应的透光孔的面积和/或形状,从而调整透光孔的对称中心点的位置。

作为本申请的进一步改进,所述光源为发光波长可调的光源,或者,所述光源包括发光波长范围不同的第一光源和第二光源;

优选地,所述光源包括平行光管;或者,所述光源包括点光源、与所述点光源相配合以向外发射平行光束的光学镜片;

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