[发明专利]倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制作方法

权利要求书

1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：

衬底(5)，所述衬底(5)表面依次设置有N型半导体层(4)、发光层(3)、P型半导体层(2)以及P电极(1)，所述N型半导体层(4)远离所述衬底(5)表面设置有N电极(6)；

多个焊料凸点(7)，一个所述焊料凸点(7)设置于一个所述P电极(1)远离所述P型半导体层(2)的表面，一个所述焊料凸点(7)设置于一个所述N电极(6)远离所述N型半导体层(4)的表面，且每个所述焊料凸点(7)远离所述衬底(5)的表面为平面；

所述P电极(1)包括至少一层凸点下金属化层，所述N电极(6)包括至少一层凸点下金属化层。

2.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述P电极(1)包括：

第一氧化阻挡层(110)，设置于所述P型半导体层(2)远离所述发光层(3)的表面，所述第一氧化阻挡层(110)包围形成第一开口空间(111)；

第一润湿层(120)，设置于所述第一开口空间(111)内，所述第一润湿层(120)包围形成第二开口空间(121)；

第一焊料阻挡层(130)，设置于所述第二开口空间(121)内，所述第一焊料阻挡层(130)包围形成第三开口空间(131)；

第一粘附层(140)，设置于所述第三开口空间(131)内。

3.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述P电极(1)包括：

第一氧化阻挡层(110)，设置于所述P型半导体层(2)远离所述发光层(3)的表面，所述第一氧化阻挡层(110)包围形成第一开口空间(111)；

第一润湿层(120)，设置于所述第一开口空间(111)内，

第一焊料阻挡层(130)，设置于所述第一开口空间(111)内，且所述第一焊料阻挡层(130)设置于所述第一润湿层(120)表面；

第一粘附层(140)，设置于所述第一开口空间(111)内，且所述第一粘附层(140)设置于所述第一焊料阻挡层(130)远离所述第一润湿层(120)的表面。

4.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述P电极(1)包括：

第一氧化阻挡层(110)，设置于所述P型半导体层(2)远离所述发光层(3)的表面；

第一润湿层(120)，设置于所述第一氧化阻挡层(110)远离所述P型半导体层(2)的表面；

第一焊料阻挡层(130)，设置于所述第一润湿层(120)远离所述第一氧化阻挡层(110)的表面；

第一粘附层(140)，设置于所述第一焊料阻挡层(130)远离所述第一润湿层(120)的表面。

5.如权利要求2或权利要求3或权利要求4所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一氧化阻挡层(110)厚度大于1000埃，所述第一润湿层(120)厚度大于3000埃，所述第一焊料阻挡层(130)与所述第一粘附层(140)厚度之和大于500埃。

6.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述N电极(6)包括：

第二氧化阻挡层(610)，设置于所述N型半导体层(4)远离所述衬底(5)表面，且所述第二氧化阻挡层(610)与所述P电极(1)间隔开设置，所述第二氧化阻挡层(610)包围形成第四开口空间(611)；

第二润湿层(620)，设置于所述第四开口空间(611)内，所述第二润湿层(620)包围形成第五开口空间(621)；

第二焊料阻挡层(630)，设置于所述第五开口空间(621)内，所述第二焊料阻挡层(630)包围形成第六开口空间(631)；

第二粘附层(640)，设置于所述第六开口空间(631)内。