[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板上依次层叠设置的遮光金属层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极和钝化层；栅极所在的第一金属膜层还包括栅线，源漏极所在的第二金属膜层还包括数据线；栅线在与数据线相对区域的表面具有氧化物金属层。本发明通过在与数据线具有相对区域的栅线的表面设置氧化物金属层，由于氧化物金属层的介电常数和击穿电压较高，可以极大的降低栅线和数据线在交叠区域发生短路的可能性。因此采用本发明实施例提供的阵列基板能够解决相关技术中栅线和数据线之间的交叠区域易发生短路，而造成面板良率下降的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、其制作方法及显示装置。

背景技术

目前，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)的主要驱动元件。在TFT制作过程中，由于工艺的原因会导致栅线和数据线之间的交叠区域发生短路，使得面板发生亮线，造成面板良率下降。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板、其制作方法及显示装置，用以解决相关技术中栅线和数据线之间的交叠区域易发生短路，而造成面板良率下降的问题。

因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上依次层叠设置的遮光金属层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极和钝化层；所述栅极所在的第一金属膜层还包括栅线，所述源漏极所在的第二金属膜层还包括数据线；

所述栅线在与所述数据线相对区域的表面具有氧化物金属层。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述相对区域包括：所述栅线和所述数据线的交叠区域，以及沿所述栅线延伸方向超出所述交叠区域的两个对称的第一区域。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一区域沿所述栅线延伸方向的宽度为2μm-3um。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一金属膜层包括位于所述栅极绝缘层背向所述衬底基板一侧依次层叠设置的第一钼金属层、铜金属层、铝金属层和第二钼金属层，所述相对区域包括所述第一钼金属层、所述铜金属层和部分所述铝金属层，所述氧化物金属层为所述铝金属层的表面经过氧化后形成的氧化铝层。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一项阵列基板。

相应地，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述任一项阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上依次形成层叠设置的遮光金属层、缓冲层、有源层和栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成第一金属膜层，对所述第一金属膜层进行构图形成栅极和栅线的图案；

在所述栅线与将要形成的数据线相对区域的表面形成氧化物金属层；

在所述氧化物金属层上依次形成层间绝缘层、第二金属膜层和钝化层，所述第二金属膜层包括数据线和源漏极的图案。

可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在所述栅极绝缘层上形成第一金属膜层，具体包括：

在所述栅极绝缘层上依次沉积第一钼金属层、铜金属层、铝金属层和第二钼金属层；

对所述第一金属膜层进行构图形成栅极和栅线的图案，具体包括：

在所述第二钼金属层上形成光刻胶层；