[发明专利]碳材料的新用途、半导体型X射线探测器顶电极及探测器在审
| 申请号： | 201910468558.5 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN112018193A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 杨世和;肖爽;钱微 | 申请（专利权）人： | 深圳市惠能材料科技研发中心（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/115;H01L27/144 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 张海平;郭燕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 材料 用途 半导体 射线 探测器 电极 | ||
【权利要求书】：
1.碳材料的用途，其特征在于，所述碳材料作为半导体型X射线探测器顶电极的材料。
2.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述碳材料为炭黑、石墨、活性炭、多孔碳、石墨烯、碳纳米管、碳60或它们的组合。
3.一种半导体型X射线探测器顶电极，其特征在于，所述顶电极包含碳材料。
4.根据权利要求3所述的顶电极，其特征在于，所述碳材料为炭黑、石墨、活性炭、多孔碳、石墨烯、碳纳米管、碳60或它们的组合。
5.根据权利要求3或4所述的顶电极，其特征在于，所述顶电极还包含金属材料和/或金属氧化物材料。
6.根据权利要求5所述的顶电极，其特征在于，所述金属材料的重量占所述碳材料的重量的0.1-5重量％。
7.根据权利要求5所述的顶电极，其特征在于，所述金属氧化物材料的重量占所述碳材料的重量的0.1-5重量％。
8.根据权利要求5所述的顶电极，其特征在于，所述金属材料为钼或银金属材料。
9.根据权利要求5所述的顶电极，其特征在于，所述金属氧化物材料为氧化铟锡。
10.一种半导体型X射线探测器，包括电极、吸光层和薄膜晶体管，所述电极包括顶电极和底电极，其特征在于，所述顶电极为根据权利要求3-9中任一项所述的顶电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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