[发明专利]像素界定层和制作方法、显示面板和制作方法、显示装置有效
申请号: | 201910467169.0 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN110164941B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 侯文军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 界定 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种像素界定层和制作方法、显示面板和制作方法、显示装置,所述像素界定层包括设置在基板上的第一像素界定层;位于所述第一像素界定层远离所述基板一侧的第二像素界定层,所述第二像素界定层靠近所述基板的表面在所述基板上的正投影覆盖所述第一像素界定层远离所述基板的表面在所述基板上的正投影,所述第二像素界定层为疏液材料。本发明提供的实施例能够有效抑制墨水在像素界定层上的攀爬,降低有机发光二极管的器件层的漏电风险,并提升成膜均匀性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种像素界定层和制作方法、显示面板和制作方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode;OLED)相对于LCD具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。
有机电致发光器件的有机材料膜层的薄膜沉积方法主要有真空蒸镀和溶液制程两种:一、真空蒸镀适用于有机小分子,其成膜均匀好、技术相对成熟、但是设备投资大、材料利用率低、大尺寸产品Mask对位精度低;二、溶液制程,包括旋涂、喷墨打印、喷嘴涂覆法等,适用于聚合物材料和可溶性小分子,其特点设备成本低,在大规模、大尺寸生产上优势突出。
现有技术中,在使用喷墨打印技术制造有机材料膜层时,需要先在基板上形成像素界定层,然后将溶解有机发光材料的墨水喷到形成有像素界定层的基板上,以形成有机材料膜层。但是,由于墨水与像素界定层接触处的表面存在表面能差异,或者,墨水的干燥特性等原因,喷墨打印的墨水在像素界定层的侧表面上会有一定程度的攀爬,从而影响该墨水在像素区域内的成膜均一性。
发明内容
为了解决上述问题至少之一,本发明第一方面提供一种像素界定层,包括
设置在基板上的第一像素界定层;
位于所述第一像素界定层远离所述基板一侧的第二像素界定层,所述第二像素界定层靠近所述基板的表面在所述基板上的正投影覆盖所述第一像素界定层远离所述基板的表面在所述基板上的正投影,所述第二像素界定层为疏液材料。
进一步的,所述第二像素界定层的材料为氟化聚甲基丙烯酸甲酯或氟化聚酰亚胺。
进一步的,所述第一像素界定层为亲液材料。
进一步的,所述第一像素界定层的材料为聚异戊二烯、聚苯乙烯或环氧树脂中的一种。
进一步的,所述第一像素界定层的材料的玻璃化转变温度大于等于200°,并且小于等于300°。
本发明第二方面提供一种像素界定层的制作方法,包括:
在基板上形成第一像素界定层;
在所述第一像素界定层远离所述基板的一侧形成第二像素界定层,所述第二像素界定层靠近所述基板的表面在所述基板上的正投影覆盖所述第一像素界定层远离所述基板的表面在所述基板上的正投影,所述第二像素界定层为疏液材料。
进一步的,
所述在基板上形成第一像素界定层具体包括:
在所述基板上形成第一材料层;
采用第一掩膜板对所述第一材料层进行图案化处理,形成第一像素界定层;
所述在所述第一像素界定层远离所述基板的一侧形成第二像素界定层具体包括:
在所述第一像素界定层和基板上形成第二材料层;
采用第二掩膜板对所述第二材料层进行图案化处理,形成第二像素界定层;
其中,所述第一掩膜板的透光孔与所述第二掩膜板的透光孔的孔径不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的