[发明专利]用于湿法蚀刻氮化硅的组合物有效
| 申请号： | 201910462633.7 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110551503B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李锡浩;宋定桓;全成植;赵诚一;金炳卓;林娥铉;李浚宇 | 申请（专利权）人： | LTCAM株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟海胜;马铁军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 湿法 蚀刻 氮化 组合 | ||
1.一种用于蚀刻氮化硅膜的组合物，所述组合物包含无机酸、由化学式1表示的硅基化合物和水，但不含氟，并且具有比氧化物膜的蚀刻速率快至少200倍的氮化物膜的蚀刻速率，
【化学式1】
(R1)3-Si-R2-Si-(R1)3
其中，R1独立地为氢原子、羟基、C1～C10烷基或C1～C10烷氧基，六个R1中的至少两个为羟基或C1～C10烷氧基，和
R2为可被取代的C2～C10亚烷基，
所述取代包括用取代基取代官能团中所含的一个H或至少一个H，并且
所述取代基可包括选自苄基、联苯基、胺基、二硫化物基及其组合中的取代基。
2.根据权利要求1所述的用于蚀刻的组合物，其中硅基化合物的量为基于所述组合物的总重量的0.005至1wt％。
3.根据权利要求1所述的用于蚀刻的组合物，其中无机酸是选自硫酸、硝酸、磷酸及其混合物中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的用于蚀刻的组合物，其中用于蚀刻的组合物还包含基于所述用于蚀刻的组合物总重量0.01至1wt％的铵基化合物。
5.根据权利要求4所述的用于蚀刻的组合物，其中所述铵基化合物选自氨水、乙酸铵及其混合物中的任意一种。
6.一种用于蚀刻氮化硅膜的组合物，所述组合物包含无机酸、通过化学式2的化合物与磷酸在170℃至220℃在无水状态下反应得到的硅基产物和水，但不含氟，并且具有比氧化硅膜的蚀刻速率快至少200倍的氮化硅膜的蚀刻速率：
【化学式2】
(R3)3-Si-R4-Si-(R3)3
其中，R3独立地为氢原子、卤原子、羟基、C1～C6烷基或C1～C6烷氧基，六个R3中的至少两个为卤原子、羟基或C1～C6烷氧基，和
R4为可被取代的C2～C10亚烷基，
所述取代包括用取代基取代官能团中所含的一个H或至少一个H，和
所述取代基可包括选自苄基、联苯基、胺基、二硫化物基及其组合中的取代基。
7.根据权利要求6所述的用于蚀刻的组合物，其中硅基产物的量为所述组合物的总重量的0.005至1wt％。
8.根据权利要求6所述的用于蚀刻的组合物，其中无机酸是选自硫酸、硝酸、磷酸及其混合物中的任意一种。
9.根据权利要求6所述的用于蚀刻的组合物，其中用于蚀刻的组合物还包含基于所述用于蚀刻的组合物总重量0.01至1wt％的铵基化合物。
10.根据权利要求9所述的用于蚀刻的组合物，其中所述铵基化合物选自氨水、乙酸铵及其混合物中的任意一种。
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