[发明专利]一种改善翘曲程度的MEMS结构

权利要求书

1.一种改善翘曲程度的MEMS结构，其特征在于，所述MEMS结构包括悬空部件，所述悬空部件上设有多层电极层，所述电极层包括所述悬空部件自身所需的连接电极层，以及设于所述连接电极层以外的形变电极层，所述形变电极层为空心的夹状结构，其夹头与所述连接电极层绝缘相连；其中，利用施加在所述连接电极层和形变电极层上的电压所产生的相互吸引或排斥作用，使所述形变电极层的夹角变大或变小，以对所述连接电极层产生压应力或张应力，实现所述悬空部件的表面平整。

2.根据权利要求1所述的改善翘曲程度的MEMS结构，其特征在于，所述悬空部件包括悬臂梁或者微桥结构，所述微桥结构包含相连的微桥桥面和导电梁；所述形变电极层和连接电极层设于所述悬臂梁上，或者设于导电梁和/或微桥桥面上。

3.根据权利要求2所述的改善翘曲程度的MEMS结构，其特征在于，所述形变电极层在所述悬臂梁上，或者在所述导电梁和/或微桥桥面上形成以其夹头相连的多个夹状结构。

4.根据权利要求3所述的改善翘曲程度的MEMS结构，其特征在于，所述形变电极层沿所述悬臂梁或者所述导电梁的长度方向设置；所述微桥桥面划分为网格状，每个所述网格区域内设有一个夹状结构的所述形变电极层。

5.根据权利要求1-4任一所述的改善翘曲程度的MEMS结构，其特征在于，所述形变电极层设于所述悬空部件的上侧面和/或下侧面上，所述形变电极层和连接电极层之间设有介质隔离层。

6.根据权利要求1-4任一所述的改善翘曲程度的MEMS结构，其特征在于，所述形变电极层和连接电极层通过同一个支撑及电连接结构分别引出。

7.根据权利要求4所述的改善翘曲程度的MEMS结构，其特征在于，设于所述微桥桥面各网格区域内的所述形变电极层，由一块锥形或矩形电极整体形成，各所述形变电极层相互连接形成整体。

8.根据权利要求1-4任一所述的改善翘曲程度的MEMS结构，其特征在于，所述夹状结构为锥形或矩形，所述夹状结构由多个电极条以其一端相交叉设置形成。

9.根据权利要求8所述的改善翘曲程度的MEMS结构，其特征在于，所述夹状结构的由所述多个电极条以其一端相交叉形成的交叉部与非交叉部在材料和尺寸上完全一样；或者，所述交叉部在长、宽和高三维尺寸上小于非交叉部，和/或所述交叉部材料在刚性上小于非交叉部材料；或者，所述交叉部在长、宽和高三维尺寸上大于非交叉部，和/或所述交叉部材料在刚性上大于非交叉部材料。