[发明专利]一种红外吸收薄膜结构及制作方法及其电子设备

权利要求书

1.一种红外吸收薄膜结构，其特征在于，包括：

红外吸收敏感材料；

钝化和红外吸收层，形成在所述红外吸收敏感材料上方；

金属层，形成在所述钝化层和所述红外吸收层上方，其中，所述金属层表面为纳米针状结构。

2.根据权利要求1所述的红外吸收薄膜结构，其特征在于，所述红外吸收敏感材料为氧化钒或非晶硅。

3.根据权利要求1所述的红外吸收薄膜结构，其特征在于，所述钝化和红外吸收层可以为一层结构。

4.根据权利要求1所述的红外吸收薄膜结构，其特征在于，所述钝化和红外吸收层可以为二层结构，具体为设置在所述红外吸收敏感材料上方的红外吸收层，以及设置在所述红外吸收层上方钝化层。

5.根据权利要求1所述的红外吸收薄膜结构，其特征在于，所述金属层材料为Mo、W或Ti其中的一种或由它们组成的合金材料。

6.根据权利要求1~5任一所述的红外吸收薄膜结构，其特征在于，所述金属层的厚度为1nm至1000nm。

7.一种红外吸收薄膜结构的制造方法，包括：

提供红外吸收敏感材料；

在所述红外吸收敏感材料上方形成钝化和红外吸收层；

在所述钝化和红外吸收层上方形成金属层；

等离子体刻蚀所述金属层表面，使所述金属层表面产生局部微观损伤；

使用溶液处理所述金属层表面，使所述金属层表面形成纳米针状结构。

8.根据权利要求7所述的红外吸收薄膜结构的制造方法，其特征在于，使用常温磁控溅射或ALD方法形成所述金属层。

9.根据权利要求7或8所述的红外吸收薄膜结构的制造方法，其特征在于，所述金属层的厚度在1nm至1000nm范围内。

10.根据权利要求7所述的红外吸收薄膜结构的制造方法，其特征在于，使用含高O₂/F比的气体进行等离子刻蚀所述金属层。

11.根据权利要求10所述的红外吸收薄膜结构的制造方法，其特征在于，所述高O₂/F比的气体为O₂/SF₆，其中，SF₆占总气体流量比的3%至50%。

12.根据权利要求7所述的红外吸收薄膜结构的制造方法，其特征在于，所述溶液包括由稀释的硫酸、双氧水、氢氟酸三种溶液混合形成的混合溶液。

13.根据权利要求12所述的红外吸收薄膜结构的制造方法，其特征在于，所述混合溶液的质量分数为1%至10%。

14.根据权利要求12或13所述的红外吸收薄膜结构的制造方法，其特征在于，所述混合溶液的质量分数为3%，其中，所述硫酸质量分数为1%，所述双氧水质量分数为1%，所述氢氟酸质量分数为1%。

15.一种红外吸收薄膜结构，其特征在于，包括：

红外吸收敏感材料；

所述钝化和红外吸收层为二层结构，具体为设置在所述红外吸收敏感材料上方的红外吸收层，以及设置在所述红外吸收层上方钝化层；其中，所述钝化和红外吸收层表面为纳米针状结构；

所述钝化和红外吸收层表面的纳米针状结构由以下制造方法制备得到：在钝化和红外吸收层表面形成金属层，以金属层为掩膜，刻蚀所述钝化和红外吸收层表面形成纳米针状结构。

16.根据权利要求15所述的红外吸收薄膜结构，其特征在于，所述红外吸收敏感材料为氧化钒或非晶硅。