[发明专利]一种柔性芯片的制造方法在审

申请号：	201910457748.7	申请日：	2019-05-29
公开（公告）号：	CN110211913A	公开（公告）日：	2019-09-06
发明（设计）人：	刘东亮;缪炳有;滕乙超;魏瑀;宋冬生	申请（专利权）人：	浙江荷清柔性电子技术有限公司
主分类号：	H01L21/683	分类号：	H01L21/683
代理公司：	上海波拓知识产权代理有限公司 31264	代理人：	周志中
地址：	310000 浙江省杭州市经济技术开发***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	柔性芯片支撑膜晶圆晶圆背面保护膜切割剥离制造背面研磨超薄柔性晶圆正面切割过程支撑保护减薄良率去除封装破损背面芯片加工
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【权利要求书】：

1.一种柔性芯片的制造方法，用于加工晶圆形成超薄柔性芯片，其特征在于，所述制造方法包括：在所述晶圆正面贴保护膜；通过背面研磨将所述晶圆减薄至目标厚度；在所述晶圆背面贴支撑膜；去除所述保护膜；切割所述晶圆，得到背面带有所述支撑膜的柔性芯片。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述晶圆正面贴保护膜前，包封所述晶圆边缘倒角。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述包封所述晶圆边缘倒角包括：提供用以水平放置所述晶圆的模具；将所述晶圆水平放入所述模具中；沿所述模具内缘浇注液态可固化材料；固化所述液态可固化材料，使所述晶圆边缘倒角得到包封；将所述包封好的晶圆从所述模具中取出。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述液态可固化材料为丙烯酸树脂、环氧树脂或聚氨酯类有机物。

5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述液态可固化材料为粘度为500～1000mPa·s、固化后材料硬度为60-70的丙烯酸酯，或粘度为1000～2000mPa·s、固化后材料硬度为65-75的甲基丙烯酸酯，或粘度为4000～6000mPa·s、固化后材料硬度为83-93的双组分环氧基树脂。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通过背面研磨将所述晶圆减薄至目标厚度包括：

粗磨，使晶圆初始厚度以及保护膜厚度的第一总厚度减薄到晶圆第一目标厚度以及保护膜厚度的第二总厚度；

细磨，使晶圆第一目标厚度以及保护膜厚度的第二总厚度减薄到晶圆第二目标厚度以及保护膜厚度的第三总厚度；

抛光，修整晶圆表面粗糙度，去除应力。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述抛光包括：使晶圆第二目标厚度以及保护膜厚度的第三总厚度减薄到晶圆最终厚度以及保护膜厚度的最终总厚度。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述支撑膜为聚酰亚胺薄膜。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述切割所述晶圆包括：采用激光束烧蚀切割沿所述晶圆表面设计划片道进行切割，切割深度为穿透所述晶圆与支撑膜。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述晶圆背面贴支撑膜后，将所述支撑膜绷贴到绷模环上，再切割多余的支撑膜。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，还包括：在切割多余的支撑膜后，还包括：在所述支撑膜背面粘贴切割胶带，再切割多余的切割胶带。

12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述切割所述晶圆包括：采用激光束烧蚀切割沿所述晶圆表面设计划片道进行切割，切割深度为穿透所述晶圆与支撑膜，但不穿透所述切割胶带。

13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述切割深度为芯片厚度、支撑膜厚度与切割胶带厚度的1/3～1/2之和。

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