[发明专利]一种晶圆级芯片封装方法在审
| 申请号： | 201910455965.2 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110335825A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 钟志明;汪洋;赵亚东;方梁洪;刘明明;刘凤 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊垫 晶圆 芯片封装 分布区 种晶 焊点 研磨 芯片 保护层 边缘区 减薄 开口 异常发生率 表面形成 工艺处理 晶圆中心 切割刀片 电连接 厚度差 无焊点 划片 减小 破损 切割 环绕 暴露 | ||
1.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：
提供晶圆(1)，所述晶圆(1)一侧的表面包括芯片分布区(11)和环绕所述芯片分布区(11)的边缘区(12)；
在所述芯片分布区(11)和所述边缘区(12)分别形成多个焊垫；
在所述晶圆(1)有焊垫一侧的表面以及所述焊垫的表面形成保护层，所述保护层内形成有暴露所述焊垫的开口；
在所述开口内形成焊点(13)，所述焊点(13)与所述焊垫电连接；
对所述晶圆(1)无焊点一侧的表面进行研磨减薄，以对减薄后的所述晶圆(1)进行切割。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述芯片分布区(11)和所述边缘区(12)的边界至所述晶圆(1)的边缘的距离为2.5-3mm。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，多个所述焊垫均匀分布于所述边缘区(12)。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述边缘区(12)的焊垫的排布与所述芯片分布区(11)的焊垫的排布一致。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，在所述芯片分布区(11)和所述边缘区(12)分别形成多个焊垫之前，所述方法还包括：
在所述晶圆(1)的边缘区(12)形成金属种子层。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述焊点(13)的顶端为弧面或平面。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述焊点(13)的截面形状至少包括如下之一：
圆形、椭圆形和多边形。
8.根据权利要求1所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述焊点(13)的厚度为11-95μm。
9.根据权利要求1所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述焊垫的厚度为0.1-0.5μm。
10.根据权利要求1所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述焊垫及焊点(13)的材质为具有导电性能的金属或金属合金。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
