[发明专利]一种有源电容电路

权利要求书

1.一种有源电容电路，包括运算放大器和第二电阻，运算放大器的同相输入端连接第二电阻的一端，其反相输入端和输出端连接第二电阻的另一端；

其特征在于，所述运算放大器包括偏置级、第一级、第二级、第三级、第四级和弥勒电容，所述偏置级用于提供第一偏置电压和第二偏置电压；

所述第一级包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管、第十六NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管和第十五PMOS管，

第七NMOS管的栅极连接第四PMOS管的栅极并作为所述运算放大器的反相输入端，其漏极连接第十PMOS管的漏极和第十二PMOS管的源极，其源极连接第八NMOS管和第九NMOS管的源极以及第五NMOS管和第六NMOS管的漏极；

第五PMOS管的栅极连接第八NMOS管的栅极并作为所述运算放大器的同相输入端，其漏极连接第十二NMOS管的源极和第十四NMOS管的漏极，其源极连接第三PMOS管和第四PMOS管的源极以及第六PMOS管和第七PMOS管的漏极；

第二PMOS管的栅漏短接并连接第三PMOS管的栅极和第三NMOS管的漏极，其源极连接第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十四PMOS管和第十五PMOS管的源极并连接电源电压；

第四NMOS管的栅漏短接并连接第三PMOS管的漏极和第五NMOS管的栅极，其源极连接第三NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第十NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管和第十六NMOS管的源极并接地；

第九NMOS管的栅极连接第十NMOS管的栅极和漏极以及第九PMOS管的漏极，其漏极连接第八PMOS管的栅极和漏极以及第七PMOS管的栅极；

第十三PMOS管的栅极连接第十二PMOS管的栅极、第十六NMOS管的漏极以及第十五PMOS管的栅极和漏极，其漏极连接第十二NMOS管的漏极并作为所述第一级的输出端，其源极连接第八NMOS管和第十一PMOS管的漏极；

第十一NMOS管的栅极连接第十二NMOS管的栅极、第十四PMOS管的漏极以及第十五NMOS管的栅极和漏极，其漏极连接第十二PMOS管的漏极以及第十三NMOS管和第十四NMOS管的栅极，其源极连接第四PMOS管和第十三NMOS管的漏极；

第六PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管和第十四PMOS管的栅极连接所述第二偏置电压，第三NMOS管、第六NMOS管和第十六NMOS管的栅极连接所述第一偏置电压；

所述第二级包括第十六PMOS管和第十七NMOS管，第十六PMOS管的栅极连接所述第二偏置电压，其源极连接电源电压，其漏极连接第十七NMOS管的漏极并作为所述第二级的输出端；第十七NMOS管的栅极连接所述第一级的输出端，其源极接地；

所述第三级包括第三电阻和第十八NMOS管，第十八NMOS管的栅极连接所述第二级的输出端，其漏极作为所述第三级的输出端并通过第三电阻后连接电源电压，其源极接地；

所述第四级包括第四电阻和第十九NMOS管，第十九NMOS管的栅极连接所述第三级的输出端，其漏极作为所述有源电容电路的输出端并通过第四电阻后连接电源电压，其源极接地；

弥勒电容接在所述第一级输出端和所述有源电容电路的输出端之间。

2.根据权利要求1所述的有源电容电路，其特征在于，所述偏置级包括第一NMOS管、第二NMOS管和第一PMOS管，

第二NMOS管的栅极连接第一NMOS管的栅极和漏极以及偏置电流源并输出所述第一偏置电压，其源极连接第一NMOS管的源极并接地，其漏极连接第一PMOS管的栅极和漏极并输出所述第二偏置电压；第一PMOS管的源极连接电源电压。

3.根据权利要求1或2所述的有源电容电路，其特征在于，将所述有源电容电路与第一电阻构成二型补偿用于DC-DC变换器中进行频率补偿，第一电阻一端连接所述DC-DC变换器中跨导运算放大器的输出，另一端连接所述有源电容电路中运算放大器的同相输入端；第四NMOS管和第五NMOS管的尺寸比为1:3。