[发明专利]一种铜镍合金薄膜热电偶的加工方法

权利要求书

1.一种铜镍合金薄膜热电偶，其特征在于，所述铜镍合金薄膜热电偶设置在绝缘基材表面，由多个薄膜热电偶单元串联组成，高温端连接亮点为铜镍合金，低温端连接亮点为铜；所述单个薄膜热电偶单元由铜镍合金和铜薄膜化相连组成；所述铜镍合金中镍元素的原子分数为10～90。

2.根据权利要求1所述的铜镍合金薄膜热电偶，其特征在于，所述铜镍合金中镍元素的原子分数为44。

3.根据权利要求1所述的铜镍合金薄膜热电偶，其特征在于，所述绝缘基材为PET、PI、PTFE、陶瓷中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的铜镍合金薄膜热电偶，其特征在于，所述铜镍合金薄膜热电偶还包括多层基板互连构成，所述基板上修饰有多个串联的所述薄膜热电偶单元。

5.一种如权利要求1-4任一项所述铜镍合金薄膜热电偶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在基板表面磁控溅射铜镍合金；

(2)在基板表面加工蚀刻线路；

(3)在基板表面选择性覆盖油墨，露出选定的铜镍合金区域；

(4)在基板表面露出的铜镍合金区域电镀铜；

(5)对基板进行去油墨处理，得到多个热电偶单元串联的铜镍合金薄膜热电偶。

6.根据权利要求5所述的一种铜镍合金薄膜热电偶的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，在基板表面磁控溅射铜镍合金，采用DPC薄膜电路工艺，将基板做前处理清洁，利用薄膜专业制造技术-真空镀膜方式于基板上溅镀结合于铜镍合金层。

7.根据权利要求5所述的一种铜镍合金薄膜热电偶的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所述铜镍合金中镍元素的原子分数为44。

8.根据权利要求5所述的一种铜镍合金薄膜热电偶的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的线路图形加工方法采用光刻胶、干膜、感光油墨中的至少一种进行加工。

9.根据权利要求5所述的一种铜镍合金薄膜热电偶的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中，所述去油墨处理是使用化学腐蚀法去除基板上的油墨，所用的腐蚀液为碱液，所述碱液为氢氧化钾。

10.根据权利要求5所述的一种铜镍合金薄膜热电偶的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的油墨为阻焊油墨。