[发明专利]背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜

说明书

提供背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜。背面密合薄膜适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、能够以贴接于半导体芯片的背面的状态实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查。提供具备该背面密合薄膜的切割带一体型背面密合薄膜。作为本发明的背面密合薄膜的薄膜含有在可见光和近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收的多个吸光成分。对由薄膜准备的厚度25μm的薄膜试样片测定的波长1000nm的光线的总透光率相对于对同一试样片测定的波长1800nm的光线的总透光率的比值为1.2以上。切割带一体型背面密合薄膜X具备切割带(20)和以可剥离的方式密合于其粘合剂层(22)的薄膜(10)。

技术领域

本发明涉及能用于覆盖保护半导体芯片的背面的背面密合薄膜、及具备这种背面密合薄膜的切割带一体型背面密合薄膜。

背景技术

具备进行了倒装芯片安装的半导体芯片的半导体装置中，在该芯片中与形成有电路的所谓表面相反的里面和/或背面上，有时设置成为保护膜的薄膜。另外，要求在半导体芯片上的这种背面密合薄膜上，利用可见光区域的波长的激光能适当地刻印文字信息、图形信息等各种信息。对于这种背面密合薄膜，记载于例如下述的专利文献1～3中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-250970号公报

专利文献2：日本特开2008-6386号公报

专利文献3：日本特开2008-166451号公报

发明内容

发明要解决的问题

对半导体芯片用的背面密合薄膜有时要求红外线遮蔽功能。这是因为有时红外线对于半导体芯片的电路的输入/输出信号而言会成为噪音。另外，半导体芯片越薄，该芯片在其厚度方向受到红外线照射时透过该芯片厚度方向的红外线的量越有增大的倾向。因此，有半导体芯片越薄型化，背面密合薄膜对红外线遮蔽功能的要求越强的倾向。

另一方面，对于半导体芯片，作为用于检查有无裂纹、缺口等的检查，有时实施基于红外线显微镜观察的检查。该检查中大多使用处于900～1200nm的波长范围内的红外线。

另外，在具备倒装芯片安装型的半导体芯片的半导体装置的制造过程中，有时使用与半导体晶圆相对应的尺寸的圆盘形状的背面密合薄膜与切割带贴合而成的复合薄膜(切割带一体型背面密合薄膜)。

本发明是基于如上所述的实际情况而想到的，其目的在于，提供适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、并且能够在贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查的背面密合薄膜。另外，本发明的另一目的在于提供具备这种背面密合薄膜的切割带一体型背面密合薄膜。

用于解决问题的方案

根据本发明的第1方面，提供背面密合薄膜。该背面密合薄膜含有多个吸光成分，所述多个吸光成分在可见光及近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收。本发明中，可见光及近红外线的波长区域是指360～2500nm的波长区域。对由该背面密合薄膜准备的厚度25μm的背面密合薄膜试样片测定的波长1000nm的光线的第2总透光率相对于对相同试样片测定的波长1800nm的光线的第1总透光率的比的值为1.2以上，优选为1.4以上、更优选为1.6以上。