[发明专利]旋磁滤波器谐振电路结构有效

专利信息
申请号: 201910449754.8 申请日: 2019-05-28
公开(公告)号: CN110165344B 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 何志强;蓝江河;杨星星;王大勇;王源;马涛;王津丰 申请(专利权)人: 西南应用磁学研究所
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20
代理公司: 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 代理人: 杨晖琼
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 滤波器 谐振 电路 结构
【权利要求书】:

1.一种旋磁滤波器谐振电路结构,包括旋磁带通滤波器,所述旋磁带通滤波器包括信号输入端、信号输出端和位于磁路中的谐振电路,所述谐振电路包括数个外部设有耦合环的谐振小球,所述谐振小球交错设置,位于两端部的两个谐振小球,一个连接信号输入端,一个连接信号输出端,信号在相邻谐振小球间从输入端向输出端耦合传递;

其特征在于:连接信号输入端的谐振小球的耦合环为第一耦合环,连接信号输出端的谐振小球的耦合环为第二耦合环,第一耦合环和第二耦合环的一个接地端分别串联一单刀双掷微波开关;

两单刀双掷微波开关包括一个输入端、第一输出端、第二输出端,其中,两个输入端分别连接第一耦合环、第二耦合环,两个第一输出端直连,两个第二输出端接地;

所述单刀双掷微波开关包括串联的第一电容C1、第二电容C2,二者间设有第一二极管D1,第一电容C1和第一二极管D1间通过第二二极管D2接地,其中,第一二极管D1正极与第二电容C1连接,第二二极管D2负极接地;

当单刀双掷微波开关接地并外加磁场时,该旋磁滤波器谐振电路结构在磁场作用下形成带通滤波器;

当单刀双掷微波开关相互接通且外加磁场时,该旋磁滤波器谐振电路结构在磁场作用下形成带阻滤波器;

当单刀双掷微波开关相互接通且无外加磁场时,该旋磁滤波器谐振电路结构形成直通状态。

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