[发明专利]一种石膏制品表面生长结晶的方法有效
| 申请号： | 201910448163.9 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110054468B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张仁竟 | 申请（专利权）人： | 兰溪市绘歆工艺品有限公司 |
| 主分类号： | C04B28/14 | 分类号： | C04B28/14;C04B41/85 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 徐敏灿 |
| 地址： | 321104 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石膏 制品 表面 生长 结晶 方法 | ||
1.一种石膏制品表面生长结晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、配制石膏浆；
步骤二、浇筑石膏制品；
步骤三、晾干；
步骤四、配制生长晶体溶液；
步骤五、石膏制品浸入步骤四配制的生长晶体溶液生长晶体;
步骤一中配制石膏浆的方法为，取明矾水溶液100份、石膏粉150份-250份，搅拌均匀；步骤四中配制生长晶体溶液的方法为，取100份水，加入20-40份明矾，充分搅拌溶解。
2.根据权利要求1所述的一种石膏制品表面生长结晶的方法，其特征在于，步骤一中配制石膏浆的方法为，取明矾水溶液100份、石膏粉200份，搅拌均匀。
3.根据权利要求1所述的一种石膏制品表面生长结晶的方法，其特征在于，步骤一中明矾水溶液配制方法为，取100份水，加入15-30份明矾，充分搅拌溶解。
4.根据权利要求3所述的一种石膏制品表面生长结晶的方法，其特征在于，步骤一中明矾水溶液配制方法为，取100份水，加入25份明矾，充分搅拌溶解。
5.根据权利要求3所述的一种石膏制品表面生长结晶的方法，其特征在于，步骤一中明矾水溶液配制温度为50-70℃。
6.根据权利要求1所述的一种石膏制品表面生长结晶的方法，其特征在于，步骤四中配制生长晶体溶液的方法为，取100份水，加入25份明矾，充分搅拌溶解。
7.根据权利要求1所述的一种石膏制品表面生长结晶的方法，其特征在于，步骤四中配制生长晶体溶液的温度为50-70℃。
8.根据权利要求1所述的一种石膏制品表面生长结晶的方法，其特征在于，步骤五中石膏制品浸泡入生长晶体溶液3-4个小时生长晶体。
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