[发明专利]复合电极结构及发光器件

说明书

本发明涉及一种复合电极结构及发光器件，该复合电极结构包括电极主体层及用于保护所述电极主体层的电极保护层，所述电极保护层与所述电极主体层层叠设置，所述电极主体层含有ⅢA族金属元素，所述电极保护层是由包括IAIⅡA族金属元素形成的金属层或由包括IIIⅡI族金属元素形成的金属层或由包括IAIⅡA族金属元素和IIIⅡI族金属元素中的多种形成的合金层。该复合电极结构应用于发光器件的电极，由于电极保护层本身具有间隔阻挡作用，故而可对电极主体层起到保护作用，同时选择特定的金属元素形成电极保护层，避免了由于电极主体层带来的发光器件的衰退的问题，从而可在一定程度上提高发光器件的发光效率和使用寿命。

技术领域

本发明涉及发光显示技术领域，特别是涉及一种复合电极结构及发光器件。

背景技术

由于量子点独特的光学性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等性质，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD(液晶显示器)所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。

经过几十年的发展，QLED的性能取得了很大的进展，其中一个很重要的原因是采用了ZnO纳米颗粒作为电子传输材料。这是因为：(1)ZnO具有优异的电子导电性；(2)ZnO的导带底能级与量子点的导带底能级匹配，非常有利于电子注入；(3)ZnO的价带顶能级比量子点的价带顶能级深，具有优异的空穴阻挡和限制能力。但是，基于ZnO电子传输层的QLED存在比较严重的电荷不平衡问题，即电子数量远多于空穴数量。这是因为现在尚没有一种空穴传输材料，其空穴导电性和ZnO的电子导电性相当，且其HOMO能级与量子点价带顶能级非常匹配。因此，为了继续提高QLED的效率和寿命，减少电子数目非常必要。

近些年来，不断的有研究致力于如何减少电子数目，例如采用掺杂的ZnO替代纯ZnO作为电子传输层；在ZnO层和量子点发光层之间嵌入绝缘层以阻挡电子注入等。这些研究都取得了不错的效果，推动了发光器件的工作机制的深入研究，也促进了发光器件的发展。然而这些发光器件在长期使用过程中仍会出现器件的加剧衰退进而严重影响发光器件的发光效率和使用寿命的问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够提高发光器件的发光效率和使用寿命的复合电极结构。

相应地，还提供了一种发光器件。

本发明的一个方面，提供了一种复合电极结构，包括电极主体层及用于保护所述电极主体层的电极保护层，所述电极保护层与所述电极主体层层叠设置，所述电极主体层含有ⅢA族金属元素，所述电极保护层是由包括IAIⅡA族金属元素形成的金属层或由包括IIIⅡI族金属元素形成的金属层或由包括IAIⅡA族金属元素和IIIⅡI族金属元素中的多种形成的合金层。

上述复合电极结构可应用于发光器件的电极，由于电极保护层本身具有间隔阻挡作用，故而可对电极主体层起到保护作用，同时选择特定的金属元素形成电极保护层，避免了由于电极主体层带来的发光器件的衰退的问题，从而可在一定程度上提高发光器件的发光效率和使用寿命。

在其中一个实施例中，所述电极保护层中的金属元素的功函数≥4.26eV。

在其中一个实施例中，所述电极保护层中的金属元素选自铜、银、金、铍和锌中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述电极保护层中的金属元素为铍或锌。

在其中一个实施例中，所述电极保护层的厚度为2nmI20nm。

在其中一个实施例中，所述电极主体层为铝金属层、铝合金层、镓金属层、镓合金层、铟金属层或铟合金层。