[发明专利]制造记忆体装置的方法

说明书

本揭露相关于一种制造记忆体装置的方法，这种制造记忆体装置的方法包含如下所述的步骤。形成介电层于基板上。形成底电极沟槽开口于介电层上。形成底电极于底电极沟槽开口里。回蚀底电极。形成选择器于底电极沟槽开口内与底电极上。形成记忆体层于选择器上。形成顶电极于记忆体层上。上述的制造方法，将不会给记忆体装置增加面积的使用负担，并且因此增强了高密度装置中基板面积的使用效率。

技术领域

本揭露相关于一种制造记忆体装置的方法。

背景技术

在半导体装置与系统中，记忆体装置是用于储存信息。其中在记忆体装置里，最受欢迎的是动态随机存取记忆体(dynamic random access memory，DRAM)。动态随机存取记忆体包含一个开关与一个电容。动态随机存取记忆体是高度集成且高速的记忆体装置，但是，当电源关闭时，动态随机存取记忆体将不能保留数据。

另一方面，非挥发性记忆体(nonvolatile memory)装置即使是在电源关闭的情况下，仍然具有保留数据的能力。非挥发性记忆体的例子包含快闪记忆体(flash memory)、磁阻式随机存取记忆体(magnetic random access memories，MRAMs)、可变电阻式记忆体(resistive random access memories，RRAMs)以及随机相变化存取记忆体(phase-changerandom access memories，PCRAMs)。磁阻式随机存取记忆体利用在穿隧接面的磁化方向变化来储存数据。随机相变化存取记忆体利用由特定材料的相变化所产生的电阻的变化来储存数据。可变电阻式记忆体则是利用电阻的改变来储存数据，而非利用电荷容量的变化来储存数据。

发明内容

本揭露的一技术态样是一种制造记忆体装置的方法。在本揭露一或多个实施方式中，制造记忆体装置的方法包含形成介电层于基板上。形成底电极沟槽开口于介电层上。形成底电极于底电极沟槽开口。回蚀底电极。形成选择器于底电极沟槽开口内与底电极上。形成记忆体层于选择器上。形成顶电极于记忆体层上。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本揭露的各方面。在附图中，除非上下文另有说明，否则相同的附图标记表示相似的元件或步骤。附图中元件的尺寸和相对位置不一定按比例绘制。实际上，为了清楚讨论，可以任意增加或减少各种特征的元件。

图1绘示根据本揭露的各种实施方式的一记忆体装置的透视图；

图2A与图2B根据本揭露的各种实施方式绘示制造记忆体装置方法的流程图；

图3到图14绘示图1相对于线段A-A沿Y方向的剖面图；

图15、图16以及图17根据本揭露一些实施方式绘示记忆体装置的剖面图；

图18根据本揭露一些实施方式绘示记忆体装置的剖面图。

【符号说明】

110：晶圆

112：基板

114：逻辑电路

120：中间金属介电层

130：底导电线

140：第一介电层

142：底电极沟槽开口

150、150’：底电极

152：阻障层

154：填充材料

165：选择器

175：覆盖层

185：记忆体层

195：顶电极