[发明专利]一种检测Low-K工艺芯片分层问题的方法有效
| 申请号： | 201910443549.0 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110223930B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杜新 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 low 工艺 芯片 分层 问题 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种检测Low-K工艺芯片分层问题的方法，其特征在于：芯片内部金属层与硝酸溶液发生化学反应时会产生不同的颜色，通过颜色来定位芯片分层的位置,主要步骤包括：首先将划片过程中出现Peeling的芯片放置在硝酸溶液中，一段时间后将芯片取出，其次使用显微镜观测芯片内部颜色变化，然后使用离子束对出现颜色变化的区域进行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
