[发明专利]一种含有PTC涂层极片的制备方法及锂离子电池

权利要求书

1.一种含有PTC涂层极片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：按重量份数计，将400～1000份溶剂、50～100份高分子聚合物、0.5～3份导电剂，搅拌均匀后加入0.1～5份的耐高电压交联剂和引发剂的混合试剂，其中引发剂占耐高电压交联剂的质量分数为0.1％～2％，搅拌分散均匀得到涂层浆料；

步骤二：将所述涂层浆料涂布在集流体上，并80～120℃烘干2～6h，得到涂布PTC涂层的集流体，其中PTC涂层的厚度为0.1um～10um；

步骤三：将极片浆料均匀涂布在所述涂布PTC涂层的集流体上，经干燥、辊压、切片得到含有PTC涂层的锂离子电池极片。

2.根据权利要求1所述的一种含有PTC涂层极片的制备方法，其特征在于：步骤一中所述耐高电压交联剂的结构式为其中R、R1、R2、R3、R4、R5、R6均为耐高电压有机基团，其中R、R1、R2、R3、R4、R5、R6中的至少一个含有硅原子和氟原子中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的一种含有PTC涂层极片的制备方法，其特征在于：所述耐高电压有机基团为含氟交联结构、硅氧烷交联结构或含氟硅氧烷交联结构。

4.根据权利要求3所述的一种含有PTC涂层极片的制备方法，其特征在于：含有所述含氟交联结构的耐高电压交联剂为十二氟-1,9-癸二烯或1,4-二乙烯基全氟丁烷；所述硅氧烷交联结构为二乙烯基硅结构、三乙烯基硅结构或多乙烯基硅结构；含氟硅氧烷交联结构为二乙烯基硅结构、三乙烯基硅结构或多乙烯基硅结构。

5.根据权利要求4所述的一种含有PTC涂层极片的制备方法，其特征在于：含有所述二乙烯基硅结构的耐高电压交联剂为二乙烯基二甲基硅烷、1,3-二乙烯基四乙氧基二硅烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二氯二硅烷、1,5-二乙烯基-3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三硅烷、四甲基二乙烯基二硅氧烷、1,3-二乙烯基四苯基二硅氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氮烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二硅氧烷、二乙烯基四甲基二硅烷、1,4-二乙烯基-1,1,4,4-四甲基二甲硅烷基乙烷、1,4-双(乙烯基二甲基硅)苯、1,3-二乙烯基-1,3-二苯基-1,3-二甲基二硅氮烷、1,1,3,5,5-五甲基-3-苯基-1,5-二乙烯基三硅氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-二乙烯基三硅氧烷、1,5-二乙烯基-六甲基三硅氧烷、1,1,1,7,7,7-六甲基-3,5-双(三甲基硅氧基)-3,5-二乙烯基四硅氧烷、二乙氧基二-2-丙烯-1-基-硅烷、1,5-二乙烯基-3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三硅烷、1,4-二乙烯基-1,1,4,4-四甲基二甲硅烷基乙烷、1,7-二乙烯基-八甲基四硅氧烷或6,6-二乙烯基-2,5,7,10-四氧杂-6-硅杂十一烷；含有所述三乙烯基硅结构的耐高电压交联剂为甲基丙烯酰氧丙基三(乙烯基二甲基硅氧基)硅烷、三(乙烯基二甲基硅氧基)甲基硅烷、三(乙烯基二甲基甲硅烷氧基)苯基硅烷、三乙烯基三甲基环三硅氮烷、2,4,6-三乙烯基-2,4,6-三甲基环三硅氧烷、三乙烯基氯硅烷、三(乙烯基二甲基硅氧基)甲基硅烷、1,3,5-三乙烯基-1,1,3,5,5-五甲基三硅烷、1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基环三硅氧烷、三乙烯基硅烷、三乙烯基乙氧基硅烷、三乙烯基甲基硅烷、三(乙烯基二甲基甲硅烷氧基)苯基硅烷、2,4,6-三乙烯基-2,4,6-三甲基环三硅氧烷、苯基三乙烯基硅烷或甲基三[(1-甲基乙烯基)氧基]硅烷；含有所述多乙烯基硅结构的耐高电压交联剂为甲基丙烯酰氧丙基三(乙烯基二甲基硅氧基)硅烷、六乙烯基二硅氧烷、1,1,3,3-四乙烯基二甲基二硅氧烷、1,1,3,3-四乙烯基二甲基二硅氧烷、甲基丙烯酰氧丙基三(乙烯基二甲基硅氧基)硅烷、三(异烯丙氧基)乙烯基硅烷、四甲基四乙烯基环四硅氧烷、2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基环四硅氧烷、四乙烯硅烷、1,3-二甲基-1,1,3,3-四乙烯二硅氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氮烷、四(二甲基乙烯基硅氧基)硅烷、五甲基五乙烯基环五硅氧烷或1,3,5,7,9,11-六甲基-1,3,5,7,9,11-六乙烯基环六硅氧烷。