[发明专利]一种非挥发铁电存储器三维存储的结构

权利要求书

1.一种非挥发铁电存储器三维存储的结构，其特征在于，所述非挥发铁电存储器三维存储的结构包括基底层、设置在基底层上的多层铁电薄膜存储层晶圆和设置在多层铁电薄膜存储层晶圆上的金属互连层，各层铁电薄膜存储层晶圆通过通孔电极上下相连，其中，铁电薄膜存储层晶圆上排列高密度铁电存储单元，所述基底层可控制各层铁电存储单元。

2.根据权利要求1所述的非挥发铁电存储器三维存储的结构，其特征在于，所述基底层为硅基读取电路。

3.根据权利要求1所述的非挥发铁电存储器三维存储的结构，其特征在于，所述多层铁电薄膜存储层晶圆的层数为至少2层。

4.根据权利要求3所述的非挥发铁电存储器三维存储的结构，其特征在于，所述多层铁电薄膜存储层晶圆的层数大于等于2层，少于等于200层。

5.根据权利要求1所述的非挥发铁电存储器三维存储的结构，其特征在于，所述铁电薄膜存储层晶圆的铁电薄膜选自离子掺杂改性的铁电晶体薄膜材料。

6.根据权利要求1至5之一所述的非挥发铁电存储器三维存储的结构，其特征在于，所述基底层、多层铁电薄膜存储层晶圆和金属互连层采用键合工艺堆叠。

7.根据权利要求6所述的非挥发铁电存储器三维存储的结构，其特征在于，所述键合工艺采用的温度不高于500度。