[发明专利]一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源在审

专利信息
申请号: 201910441985.4 申请日: 2019-05-24
公开(公告)号: CN110224627A 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 李民久;陈庆川;蒲世豪;熊涛;姜亚南;贺岩斌;黄雨;邵斌 申请(专利权)人: 核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
主分类号: H02M9/06 分类号: H02M9/06;H03K5/26;H03K7/10
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 刘昕宇
地址: 610041 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 负偏压 可调节 等离子体镀膜 单极性脉冲 双极性脉冲 偏压电源 直流叠加 复合式 占空比 电力电子技术领域 脉冲电压幅度 直流电压幅度 直流叠加脉冲 自动控制技术 低压大电流 正脉冲电压 直流负偏压 偏压模式 输出波形 非对称 电源 输出
【说明书】:

发明属于自动控制技术和电力电子技术领域,具体涉及一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源。该电源可以输出所需要的不同输出波形特性的直流负偏压、单极性脉冲负偏压、直流叠加单极性脉冲负偏压模式、非对称双极性脉冲偏压模式或直流叠加双极性脉冲偏压。并且,负偏压的脉冲电压幅度、频率和占空比可调节,直流叠加脉冲负偏压的直流电压幅度可调节,负偏压工作在高压低电流或低压大电流模式两种模式可设置,正脉冲电压幅度和占空比可调节。

技术领域

本发明属于自动控制技术和电力电子技术领域,具体涉及一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源。

背景技术

偏压电源普遍应用于等离子体镀膜工艺中,对薄膜的特性有至关重要的影响,不同的镀膜工艺需要不同输出波形特性和不同电压等级的偏压电源。从输出波形特性来划分,主要直流负偏压电源、单极性脉冲负偏压电源、直流叠加单极性脉冲负偏压电源和非对称双极性脉冲偏压电源,普遍的偏压电源输出波形特性单一,且只能拥有其中的一种或两种输出波形特性,这就为研究镀膜工艺带来了不便,对于不同工艺需要更换不同的偏压电源。因此,一台可以工作在直流负偏压模式、单极性脉冲负偏压模式、直流叠加单极性脉冲负偏压模式、非对称双极性脉冲偏压模式或直流叠加双极性脉冲偏压模式的偏压电源是非常有必要的,同时,该电源可以通过人机交互界面设定偏压电源的5种输出波形特性工作模式,设定负偏压的脉冲电压幅度、频率和占空比,设定负偏压的直流电压幅度,设定负偏压工作在高压低电流或低压大电流模式,设定正脉冲电压幅度和占空比。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术存在的上述缺陷,提供本发明提供一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源,该电源可以输出所需要的不同输出波形特性的直流负偏压、单极性脉冲负偏压、直流叠加单极性脉冲负偏压模式、非对称双极性脉冲偏压模式或直流叠加双极性脉冲偏压。并且,负偏压的脉冲电压幅度、频率和占空比可调节,直流叠加脉冲负偏压的直流电压幅度可调节,负偏压工作在高压低电流或低压大电流模式两种模式可设置,正脉冲电压幅度和占空比可调节。

本发明的技术方案如下:

一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源,包括:AC三相电源,三相工频整流滤波电路模块、第一DC-DC1/DC2直流电源模块、第二DC-DC3直流电源模块、第三DC-DC4直流电源模块、第一半桥电路模块、第二半桥电路模块、单相H桥电路模块、桥臂串并联转换电路模块、电弧抑制电路模块、多路驱动隔离电路模块、接触器控制电路模块;

所述AC三相电源输出端连接到三相工频整流滤波电路模块的输入端,三相工频整流滤波电路模块的输出端分别连接到第一DC-DC1/DC2直流电源模块、第二DC-DC3直流电源模块、第三DC-DC4直流电源模块的输入端;

所述第一DC-DC1/DC2直流电源模块的第一隔离直流电压DC1输出端连接到第一半桥电路模块,第一DC-DC1/DC2直流电源模块的第二隔离直流电压DC2输出端连接到第二半桥电路模块的输入端;

所述第二DC-DC3直流电源模块的输出端连接到单相H桥电路模块的第一输入端;

所述第三DC-DC4直流电源模块的输出端连接到单相H桥电路模块的第二输入端;

所述桥臂串并联转换电路模块的一输入端连接到第一半桥电路模块的输出端、桥臂串并联转换电路模块的另一输入端连接到第二半桥电路模块的输出端,桥臂串并联转换电路模块的第三输入端连接到单相H桥电路模块的输出端,以实现第一半桥电路模块、第二半桥电路模块和单相H桥电路模块串联或并联连接方式,达到串联时电源能输出高电压小电流或并联时电源能输出低电压大电流的能力,满足镀膜工艺的需要;

所述桥臂串并联转换电路模块的输出端连接到电弧抑制电路模块的输入端,电弧抑制电路模块输出端穿过电流传感器连接到负载;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司,未经核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910441985.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top