[发明专利]高动态范围背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素在审
| 申请号： | 201910441731.2 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110166718A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 葛光;吴宪岭 | 申请（专利权）人： | 上海砺芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/355 | 分类号： | H04N5/355;H04N5/378 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 李丹 |
| 地址： | 中国（上海）自由贸易试验*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷存储单元 电荷 改变量 全局快门 存储 图像传感器像素 光电二极管 存储单元 辅助电荷 背照式 电荷域 高动态 双采样 感光区域 设计辅助 信号生成 感测光 传感器 相减 | ||
1.一种高动态范围背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，包括：
用于感测光信号生成电荷的光电二极管，用于暂时存储光电二极管中产生的电荷的第一电荷存储单元、第二电荷存储单元和第三电荷存储单元，用于同步电荷存储单元中存储的电荷的数量的改变量的辅助电荷存储单元。
2.根据权利要求1所述的高动态范围背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，所述图像传感器像素还包括浮置扩散区。
3.根据权利要求1所述的高动态范围背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，所述图像传感器像素还包括用于将生成电荷从光电二极管转移至电荷存储单元的传输晶体管。
4.根据权利要求1所述的高动态范围背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，所述图像传感器像素还包括用于控制电荷从电荷存储单元及辅助电荷存储单元往浮置扩散区转移的传输晶体管。
5.根据权利要求1所述的高动态范围背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，所述图像传感器像素中电荷存储单元和辅助电荷存储单元为同时具备电荷存储和电荷转移控制功能的电荷存储单元。
6.根据权利要求1所述的高动态范围背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，所述图像传感器像素还包括像素电源VDD以及位于光电二极管PD1和像素电源VDD之间用于控制电荷从光电二极管PD1往像素电源VDD转移的传输晶体管。
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