[发明专利]一种铜合金镀层及其制备方法

权利要求书

1.一种铜合金镀层，其特征在于，包括镀制于铜合金基材表面的铬膜层与复合膜层，所述铬膜层位于所述铜合金基材与所述复合膜层之间，所述复合膜层包括交替层叠设置的多层功能性膜与多层二氧化硅膜，并且，所述复合膜层中与所述铬膜层接触的薄膜为所述功能性膜，所述二氧化硅膜的材料为无定型二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的铜合金镀层，其特征在于，所述铬膜层的层数为多层。

3.根据权利要求2所述的铜合金镀层，其特征在于，每一所述铬膜层的膜厚在400nm～1000nm之间。

4.根据权利要求1所述的铜合金镀层，其特征在于，所述铬膜层采用PVD镀膜方式镀制形成。

5.根据权利要求1所述的铜合金镀层，其特征在于，所述功能性膜与所述二氧化硅膜的层数均为3～10层。

6.根据权利要求1所述的铜合金镀层，其特征在于，所述二氧化硅膜与所述功能性膜均采用PVD镀膜方式镀制形成。

7.一种铜合金镀层的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1～6任一项所述的铜合金镀层，包括如下步骤：

提供铜合金基材；

通过PVD镀膜方式，在所述铜合金基材的表面依次形成铬膜层与复合膜层；所述铬膜层的层数为多层，所述复合膜层包括交替层叠设置的多层功能性膜与多层二氧化硅膜，并且，所述复合膜层中与所述铬膜层接触的薄膜为所述功能性膜。

8.根据权利要求7所述的铜合金镀层的制备方法，其特征在于，形成所述铬膜层的步骤以如下方式进行：通入500sccm的氩气后关闭氩气质量流量计，抽真空使真空室内真空达到0.08Pa，打开偏压并设定偏压值为400～500V，占空比50％，设定铬弧靶电流60～100A，进行离子轰击2～4min，在所述铜合金基材表面形成所述铬膜层。

9.根据权利要求7所述的铜合金镀层的制备方法，其特征在于，形成所述功能性膜的步骤以如下方式进行：将氩气调至100～200sccm，打开中频磁控靶，靶电流设定为20～30A，进行中频磁控靶沉积打底10～15min，在所述铜合金基材表面形成所述功能性膜。

10.根据权利要求7所述的铜合金镀层的制备方法，其特征在于，形成所述二氧化硅膜的步骤以如下方式进行：通入氩气并将氩气调至100～150sccm，打开中频磁控硅靶，硅靶电流设定为5～10A，通入过氧离子源以辅助溅射，以氧气为反应气体进行沉积打底10～20min，在所述铜合金基材表面形成所述二氧化硅膜。