[发明专利]半导体激光器阵列封装结构有效
| 申请号： | 201910440207.3 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110190504B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 徐之光;程东;马云振 | 申请（专利权）人： | 宁波东立创芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/026;H01S5/40 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 汪海艳 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 阵列 封装 结构 | ||
1.一种半导体激光器阵列封装结构，包括衬底、n个激光器芯片、n个耦合电容、n个MPD及n个匹配电阻；其中n为正整数；
其特征在于：
所述衬底的正面及背面均设有2n条金属化导线；所述衬底上还开设有n个金属化过孔；
所述n个激光器芯片均背面朝上贴装至衬底正面；所述n个MPD均贴装至衬底正面；所述n个耦合电容及n个匹配电阻均贴装至衬底背面；
每个激光器芯片的EA区焊盘及增益区焊盘依次分别通过一条金属化导线及金线连接至衬底之外；
n个MPD均通过金线连接至衬底之外；
每个金属化过孔分别与一个激光器芯片的EA区焊盘连接，且每个金属化过孔分别通过一根金属化导线与各耦合电容的一端连接，各耦合电容的另一端分别通过一根金属化导线与匹配电阻连接。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：
还包括贴装至衬底正面的n个滤波电容，n个滤波电容的一端分别依次通过一条金属化导线和金线与每个激光器芯片的增益区焊盘连接，n个滤波电容的另一端均通过金线连接至衬底之外。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：
所述n个激光器芯片、n个MPD、n个滤波电容分别在衬底正面上沿衬底x方向排布为三行n列的二维矩阵，每一列均包括一个激光器芯片、一个MPD与一个滤波电容；
所述n个耦合电容与n个匹配电阻分别在衬底背面上沿衬底x方向排布为两行n列的二维矩阵，每一列均包括一个耦合电容与一个匹配电阻。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：所述2n条金属化导线均沿衬底y向排布。
5.一种半导体激光器阵列封装结构，包括衬底、n个耦合电容、n个MPD、n个匹配电阻及阵列的n个激光器芯片；其中n为正整数；
其特征在于：
所述衬底的正面及背面均设有2n条金属化导线；所述衬底上还开设有n个金属化过孔；
所述n个激光器芯片均背面朝上贴装至衬底正面；所述n个MPD均贴装至衬底正面；所述n个耦合电容及n个匹配电阻均贴装至衬底背面；
每个激光器芯片的EA区焊盘及增益区焊盘依次分别通过一条金属化导线及金线连接至衬底之外；
n个MPD均通过金线连接至衬底之外；
每个金属化过孔分别与一个激光器芯片的EA区焊盘连接，且每个金属化过孔分别通过金属化导线与各匹配电阻的一端连接，各匹配电阻的另一端分别通过金属化导线与各耦合电容连接。
6.根据权利要求5所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：
还包括贴装至衬底正面的n个滤波电容，n个滤波电容的一端分别依次通过一条金属化导线和金线与每个激光器芯片的增益区焊盘连接，n个滤波电容的另一端均通过金线连接至衬底之外。
7.根据权利要求6所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：
所述n个激光器芯片、n个MPD、n个滤波电容分别在衬底正面上沿衬底x方向排布为三行n列的二维矩阵，每一列包括一个激光器芯片、一个MPD与一个滤波电容；
所述n个耦合电容与n个匹配电阻分别在衬底背面上沿衬底x方向排布为两行n列的二维矩阵，每一列包括一个耦合电容与一个匹配电阻。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器阵列封装结构，其特征在于：所述2n条金属化导线均沿衬底y向排布。
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