[发明专利]一种彩膜层及其制备方法、显示面板有效
| 申请号: | 201910430826.4 | 申请日: | 2019-05-22 |
| 公开(公告)号: | CN110098242B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
| 发明(设计)人: | 赵德江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/13357 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 彩膜层 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种彩膜层,其特征在于,包括:设置于衬底上的多个量子点单元,所述量子点单元的材料包括量子点材料;所述量子点单元之间通过挡墙隔离;
相对所述衬底的厚度方向,所述量子点单元倾斜设置;倾斜设置的所述量子点单元用于使入射至所述量子点单元侧壁的光发生反射,并向远离所述衬底一侧传播。
2.根据权利要求1所述的彩膜层,其特征在于,所述挡墙的材料的折射率小于所述量子点单元中量子点材料的折射率,或者,所述挡墙的材料为反射材料。
3.根据权利要求1所述的彩膜层,其特征在于,
所述挡墙包括挡墙主体,所述挡墙主体包括多个第一开口区;
所述挡墙还包括设置在所述第一开口区且位于所述挡墙主体的侧面的第一反射层;
所述第一反射层包围所述量子点单元的侧面。
4.根据权利要求1-3任一项所述的彩膜层,其特征在于,相对所述衬底的厚度方向,所述量子点单元的倾斜角度为15°~60°。
5.根据权利要求1所述的彩膜层,其特征在于,多个所述量子点单元包括红色量子点单元、绿色量子点单元以及蓝色量子点单元。
6.根据权利要求1所述的彩膜层,其特征在于,多个所述量子点单元包括红色量子点单元和绿色量子点单元,所述彩膜层还包括透光单元,所述透光单元之间以及所述透光单元与所述量子点单元之间,通过所述挡墙隔离;
其中,相对所述衬底的厚度方向,所述透光单元倾斜设置且与所述量子点单元的倾斜方向以及倾斜角度均相同,或者,所述透光单元的倾斜角度为0°;所述透光单元用于透射蓝光。
7.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述彩膜层。
8.一种如权利要求1-6任一项所述的彩膜层的制备方法,其特征在于,包括:在衬底上形成多个量子点单元、以及用于隔离所述量子点单元的挡墙。
9.根据权利要求8所述的彩膜层的制备方法,其特征在于,在所述衬底上形成多个量子点单元以及用于隔离所述量子点单元的挡墙,包括:
在所述衬底上形成薄膜;
采用激光打孔的方式,去除待形成所述量子点单元的区域的薄膜材料,形成挡墙;
采用喷墨打印或光刻刻蚀的方式,将量子点材料填充在所述挡墙的待形成所述量子点单元的区域中,形成多个所述量子点单元;
所述挡墙的材料的折射率小于所述量子点材料的折射率,或者,所述挡墙的材料为反射材料。
10.根据权利要求8所述的彩膜层的制备方法,其特征在于,所述挡墙包括挡墙主体以及第一反射层;
在所述衬底上形成多个量子点单元以及用于隔离所述量子点单元的挡墙,包括:
在所述衬底上形成薄膜;
采用激光打孔的方式,去除部分区域的薄膜材料,形成包括多个第一开口区的挡墙主体;所述第一开口区与待形成的所述量子点单元一一对应;
采用喷墨打印或光刻刻蚀的方式,将反射材料填充在所述第一开口区中;
通过激光打孔的方式,去除待形成所述量子点单元的区域的反射材料,形成位于所述第一开口区且位于所述挡墙主体的侧面的第一反射层;
采用喷墨打印或光刻刻蚀的方式,将量子点材料填充在所述第一反射层围成的区域内,形成多个所述量子点单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





