[发明专利]液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质在审
申请号: | 201910422709.3 | 申请日: | 2019-05-21 |
公开(公告)号: | CN110534454A | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 畠山真一;一野克宪;冈泽智树;西山雄太;川原幸三;渡边圣之;饭田成昭;下川大辅;飞松武志 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B05B15/50 |
代理公司: | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 释放口 释放处理液 引导部件 处理液 液处理装置 控制处理 供给部 下端面 处理液供给部 存储介质 可读取 液处理 附着 下端 液流 平坦 释放 计算机 | ||
1.一种液处理装置,其特征在于,包括:
处理液供给部,其构成为能够从位于基片的表面侧的喷嘴对所述表面供给处理液;
引导部件,其构成为能够引导从所述喷嘴释放的所述处理液的液流;和
控制部,
所述喷嘴包括平坦的下端面,在所述下端面设有用于释放所述处理液的释放口,
所述控制部执行以下动作:
控制所述处理液供给部,以使得在所述下端面靠近所述表面的状态下从所述释放口向所述表面实释放所述处理液的动作;和
控制所述处理液供给部,以使得在所述引导部件位于所述释放口附近的状态下从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于:
控制所述处理液供给部以使得从所述释放口虚释放所述处理液的动作包括以下动作:
控制所述处理液供给部,以使得在所述引导部件位于所述释放口正下方的状态下从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作;
控制所述处理液供给部,以使得在筒状的所述引导部件与所述释放口连通地接触所述下端面的状态下从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作;或者
控制所述处理液供给部,以使得在所述引导部件被插入所述释放口内部的状态下从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作。
3.如权利要求1或2所述的装置,其特征在于:
还包括构成为能够使所述喷嘴或者所述引导部件移动的驱动部,
控制所述处理液供给部以使得从所述释放口虚释放所述处理液的动作包括以下动作:
控制所述处理液供给部和所述驱动部,以使得一边为了从所述引导部件位于所述释放口附近的状态使所述引导部件相对于所述释放口下降而使所述喷嘴和所述引导部件中的至少一者移动,一边从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作。
4.如权利要求1或2所述的装置,其特征在于:
还包括构成为能够使所述引导部件旋转的旋转驱动部,
控制所述处理液供给部以使得从所述释放口虚释放所述处理液的动作包括以下动作:
控制所述处理液供给部和所述旋转驱动部,以使得在所述引导部件位于所述释放口附近的状态且所述引导部件旋转的状态下从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作。
5.如权利要求1或2所述的装置,其特征在于:
还包括构成为能够从呈筒状的所述引导部件的内部吸引流体的吸引部,
控制所述处理液供给部以使得从所述释放口虚释放所述处理液的动作包括以下动作:
控制所述处理液供给部和所述吸引部,以使得在所述引导部件位于所述释放口附近的状态且所述吸引部进行吸引动作的状态下从所述释放口向所述引导部件虚释放所述处理液的动作。
6.如权利要求1或2所述的装置,其特征在于:
所述引导部件的表面被实施了提高所述表面的润湿性的表面处理。
7.如权利要求1或2所述的装置,其特征在于:
所述引导部件的至少上端部呈凹凸形状。
8.如权利要求1或2所述的装置,其特征在于:
还包括构成为能够对所述喷嘴供给溶剂的溶剂供给部,
所述控制部还执行:控制所述溶剂供给部以使得对实释放前或者实释放后的所述释放口的周围供给溶剂的动作。
9.如权利要求8所述的装置,其特征在于:
控制所述溶剂供给部的动作包括以下动作:
控制所述溶剂供给部,以使得在所述引导部件位于所述释放口的正下方的状态下向实释放后的所述释放口的周围供给所述溶剂的动作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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