[发明专利]半导体设备以及半导体工艺处理方法

说明书

本发明提供一种半导体设备以及晶片传输方法，该半导体设备包括：设备前端模块和传输平台，还包括：设置于所述设备前端模块与所述传输平台之间的双功能腔室，且所述双功能腔室兼具中转功能和工艺功能；其中，所述中转功能为能够在所述设备前端模块和所述传输平台之间传递晶片，同时使腔室在大气状态与真空状态之间转换；所述工艺功能为能够实现对待加工工件进行工艺处理。通过本发明，提高了半导体设备的生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体设备以及半导体工艺处理方法。

背景技术

目前，在集成电路的制造工艺中，半导体设备是必不可少的。在对金属铝进行工艺处理(诸如刻蚀中)广泛采用氯气作为反应气体，其主要生成物为氯化铝，这些生成物与水反应生成强腐蚀性的氯化氢，会对铝造成腐蚀，因此需要在完成铝的刻蚀工艺后进行去胶处理，在去胶腔中完成对腐蚀性化合物的处理，从而减小腐蚀的发生，因此在对铝进行工艺处理时,半导体设备都会集成一个去胶腔。

如图1所示为现有技术中半导体设备的结构图，传输平台一般可携带4个腔室，4个腔室中包括2个去胶腔。晶圆的传输顺序为片盒Foup-设备前端模块EFEM-晶圆中转站LoadLock-传输平台-反应腔PM-传输平台-去胶腔-传输平台-晶圆中转站LoadLock-设备前端模块EFEM-片盒Foup。不同的模块之间均用门阀进行状态的隔离。传输平台始终为真空状态，设备前端模块EFEM始终为大气状态，晶圆中转站LoadLock用于真空和大气状态的转换，当晶圆在设备前端模块EFEM和晶圆中转站LoadLock之间进行传输时，晶圆中转站LoadLock为大气状态，当晶圆在传输平台和晶圆中转站LoadLock之间传输时，晶圆中转站LoadLock为真空状态。

综上，现有技术中去胶腔占用了传输腔室可用于挂工艺腔室的挂机位，大大降低了整个半导体设备的生产效率，影响设备产能。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备以及半导体工艺处理方法，以提高半导体设备的工作效率，提高设备产能。

为实现本发明的目的而提供一种半导体设备，包括：设备前端模块和传输平台，其特征在于，还包括：设置于所述设备前端模块与所述传输平台之间的双功能腔室，且所述双功能腔室兼具中转功能和工艺功能；其中，所述中转功能为能够在所述设备前端模块和所述传输平台之间传递晶片，同时使腔室在大气状态与真空状态之间转换；所述工艺功能为能够实现对待加工工件进行工艺处理。

优选地，所述双功能腔室包括：

腔体，设有两个传片口，且分别与所述设备前端模块和所述传输平台各自的传片口对接；

密封门，所述密封门与所述传片口对应设置，且所述密封门用于开启或密封所述传片口；及

工艺基座，用于实现对承载于其上的待加工工件进行工艺处理优选地，所述工艺功能包括去胶工艺，用于对所述待加工工件进行去胶处理。

优选地，所述双功能腔室为两个。

优选地，还包括：检测装置；

所述检测装置用于检测所述双功能腔室中是待加工工件。

优选地，还包括：多个反应腔室，多个所述反应腔室挂接于所述传输平台上。

一种半导体工艺处理方法，采用本申请中所述的半导体设备，所述半导体工艺处理方法包括：

判断所述双功能腔室是否有待加工工件，若是，等待并返回继续进行判断步骤；若否，则使所述双功能腔室转换至与待加工工件传入端的相一致的气压状态，并将所述待加工工件传入端中的待加工工件传入所述双功能腔室。

优选地，所述待加工工件传入端为设备前端模块，则若所述双功能腔室无待加工工件，则使所述双功能腔室转换至为大气状态。