[发明专利]标志保持电路和标志保持方法在审
| 申请号: | 201910418377.1 | 申请日: | 2019-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN110533140A | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
| 发明(设计)人: | 四辻哲章 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号: | G06K19/07 | 分类号: | G06K19/07 |
| 代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;闫小龙<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电容 标志保持 放电部 跨导元件 接地 判定部 放电 电路 控制输入端 标志设定 充电电压 电源供给 反转电压 输出表示 输出信号 固定的 控制端 线输出 判定 充电 | ||
1.一种标志保持电路,装载于从读写器装置接收利用电波的电力供给而在与所述读写器装置之间进行利用近距离无线通信的信息的收发的、RFID(射频识别)的标签电路,接收在所述信息的收发中使用的具有0或1的值的标志的设定并保持所述标志,所述标志保持电路的特征在于,具有:
第1电容;
标志设定部,被连接于基于来自所述读写器装置的电力供给而供给电源电压的电源,接收输入信号的供给,根据所述输入信号来对所述第1电容进行充电;
标志判定部,基于所述第1电容的充电电压来输出表示0或1的输出信号;以及
放电部,对所述第1电容进行放电,
在所述第1电容中,一端被连接于将所述标志判定部与所述放电部连接的第1线,并且,另一端被接地,
所述放电部包括:
跨导元件,第1输出端被接地,第2输出端被连接于所述第1线,将供给到控制输入端的电压变换为所述第1输出端与所述第2输出端之间的电流,经由所述第1线对所述第1电容进行放电;
控制开关,第1端被连接于直流电压的节点,第2端被连接于所述跨导元件的控制输入端,控制端被连接于将所述标志判定部与所述放电部连接的第2线,根据所述第2线的电压来将所述第1端与所述第2端之间连接或切断;以及
第2电容,一端被连接于所述跨导元件的控制输入端与所述控制开关的第2端之间的节点,另一端被接地,
所述标志判定部向所述第2线输出使所述第1线的电压反转后的反转电压。
2.根据权利要求1所述的标志保持电路,其特征在于,
所述跨导元件和所述控制开关的各个由MOS晶体管构成,
在所述跨导元件中,源极作为所述第1输出端而被接地,漏极作为所述第2输出端而被连接于所述第1线,栅极被连接于所述控制输入端,
在所述控制开关中,源极或漏极的任一个作为所述第1端而被连接于所述直流电压的节点,另一个作为所述第2端而被连接于所述跨导元件的控制输入端即栅极,栅极作为所述控制端而被连接于所述第2线。
3.根据权利要求1或2所述的标志保持电路,其特征在于,
所述标志判定部包括:
第1电流源,一端被连接于所述电源;以及
晶体管对,由在所述第1电流源的另一端与接地电位之间串联连接的第1晶体管和第2晶体管构成,
所述第1晶体管由第1导电型的MOS晶体管构成,源极被连接于所述第1电流源的另一端,栅极被连接于所述第1线,漏极被连接于所述第2线,
所述第2晶体管由与所述第1导电型相反导电型即第2导电型的MOS晶体管构成,源极被接地,栅极被连接于所述第1线,漏极被连接于所述第2线。
4.根据权利要求1至3的任一项所述的标志保持电路,其特征在于,
所述放电部包括:
第2电流源,一端被连接于所述电源;以及
第3晶体管,由栅极和漏极被连接于所述第2电流源的另一端而源极和背栅被接地的第2导电型的MOS晶体管构成,
所述控制开关的源极或漏极的一个经由所述第3晶体管和所述第2电流源被连接于所述电源。
5.根据权利要求1至4的任一项所述的标志保持电路,其特征在于,
所述标志设定部包括由MOS晶体管构成的泄漏抑制开关,
在所述泄漏抑制开关中,源极或漏极的任一个被连接于所述第1线,另一个根据所述输入信号而被连接于所述电源或接地电位,被控制为在所述第1电容的充电时为导通。
6.根据权利要求1至5的任一项所述的标志保持电路,其特征在于,
所述标志判定部包括输入端被连接于所述第2线的施密特反相器,
所述施密特反相器基于所述第1电容的充电电压与第1阈值和第2阈值的比较结果来输出所述输出信号。
7.根据权利要求1至5的任一项所述的标志保持电路,其特征在于,
所述标志判定部包括输出所述输出信号的输出部,
所述输出部由与非门构成,在所述与非门中输入端的一个被连接于所述第2线而在另一个接收具有H电平或L电平的信号电平的控制信号的供给。
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