[发明专利]一种磁调制电流传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201910414502.1 申请日: 2019-05-17
公开(公告)号: CN110133355B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 朱燕燕;王东兴;李瑞 申请(专利权)人: 中国科学院上海应用物理研究所
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00;G01R3/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 邓琪
地址: 201800 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 调制 电流传感器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种磁调制电流传感器,其特征在于,包括:

叠放在一起以形成同一轴心的整体磁芯的第一磁芯(C1)、第二磁芯(C2)和第三磁芯(C3),

分别绕制在第一磁芯(C1)和第二磁芯(C2)上的第一线圈(L1)和第二线圈(L2);

绕制在第三磁芯(C3)或整体磁芯上的辅助线圈(L3);

绕制在整体磁芯上的初级线圈(Lp)和次级线圈(Ls),该初级线圈(Lp)接收外围输入的被测直流电流或被测交流电流,所述次级线圈(Ls)的输出端输出测得的直流电流或交流电流;

一激励信号发生单元(1),与所述第一线圈(L1)和第二线圈(L2)的输入端均连接,分别向所述第一线圈(L1)和第二线圈(L2)提供激励电流;和

一电流补偿单元,其输入端与所述第二线圈(L2)和所述辅助线圈(L3)的输出端相连,其输出端与所述次级线圈(Ls)连接,向所述次级线圈(Ls)输出一补偿电流;

所述第一磁芯(C1)和第二磁芯(C2)的等效单匝电感量一致,且所述第三磁芯(C3)的等效单匝电感量大于所述第一磁芯(C1)和第二磁芯(C2)的等效单匝电感量;

所述电流补偿单元包括低频检波单元(2)、高频耦合单元(3)和与所述低频检波单元(2)和所述高频耦合单元(3)的输出端相连的功率放大单元(4),所述电流补偿单元通过所述低频检波单元(2)与第二线圈(L2)的输出端连接,通过所述高频耦合单元(3)与辅助线圈(L3)的输出端连接,并通过所述功率放大单元(4)的输出端与所述次级线圈(Ls)相连。

2.根据权利要求1所述的一种磁调制电流传感器,其特征在于,所述次级线圈(Ls)与第一线圈(L1)的匝比Ns/N1为5-10。

3.根据权利要求1所述的一种磁调制电流传感器,其特征在于,第一线圈(L1)和第二线圈(L2)的输入端为异名端,所述第一线圈(L1)和第二线圈(L2)的匝数(N1、N2)相同,采用一致的绕制方法且采用同样的材质和线径的导线绕制。

4.根据权利要求1所述的一种磁调制电流传感器,其特征在于,所述第一磁芯(C1)和第二磁芯(C2)的尺寸一致且磁特性一致,且第三磁芯(C3)通过增大截面积,或者增大磁导率来使其等效单匝电感量大于所述第一磁芯(C1)和第二磁芯(C1)的等效单匝电感量。

5.根据权利要求1所述的一种磁调制电流传感器,其特征在于,所述次级线圈(Ls)的输出端通过一负载电阻(Rb)接地,所述第一线圈(L1)和第二线圈(L2)未连接激励信号发生单元(1)的一端分别通过一电阻接地,且所述辅助线圈(L3)一端接地。

6.一种磁调制电流传感器的制作方法,其特征在于,包括:

步骤S1:提供彼此独立的第一磁芯(C1)和第二磁芯(C2);

步骤S2:在所述第一磁芯上(C1)绕制一第一线圈(L1),在所述第二磁芯(C2)上绕制一第二线圈(L2);

步骤S3:第一线圈(L1)与第二线圈(L2)叠放后与一截面大于第一线圈(L1)和第二线圈(L2)的截面的第三磁芯(C3)叠放,形成一个整体磁芯;

步骤S4:在所述整体磁芯上绕制初级线圈(Lp)、次级线圈(Ls)和辅助线圈(L3),所述初级线圈(Lp)接收外围输入的被测直流电流或被测交流电流,所述次级线圈(Ls)输出测得的直流电流或交流电流;

步骤S5:采用一激励信号发生单元(1)与所述第一线圈(L1)和第二线圈(L2)相连,并提供一电流补偿单元,将其输入端与所述第二线圈(L2)和辅助线圈(L3)的输出端相连,将其输出端与所述次级线圈(Ls)相连,得到磁调制电流传感器;

在所述步骤S5中,所述电流补偿单元包括低频检波单元(2)、高频耦合单元(3)和与所述低频检波单元(2)和所述高频耦合单元(3)的输出端相连的功率放大单元(4),所述电流补偿单元通过所述低频检波单元(2)与第二线圈(L2)的输出端连接,通过所述高频耦合单元(3)与辅助线圈(L3)的输出端连接,并通过所述功率放大单元(4)的输出端与所述次级线圈(Ls)相连。

7.根据权利要求6所述的磁调制电流传感器的制作方法,其特征在于,在所述步骤S5中,所述电流补偿单元包括低频检波单元(2)、高频耦合单元(3)和与所述低频检波单元(2)和所述高频耦合单元(3)的输出端相连的功率放大单元(4),所述电流补偿单元采用其低频检波单元(2)与第二线圈(L2)的输出端连接,采用其高频耦合单元(3)与辅助线圈(L3)的输出端连接,并采用其功率放大单元(4)的输出端与所述次级线圈(Ls)相连。

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