[发明专利]基于FLASH工艺的FPGA芯片参数测试方法及设备有效
申请号: | 201910414363.2 | 申请日: | 2019-05-17 |
公开(公告)号: | CN110231559B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 张晓羽 | 申请(专利权)人: | 航天科工防御技术研究试验中心 |
主分类号: | G01R31/3185 | 分类号: | G01R31/3185;G01R31/317 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李弘 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 flash 工艺 fpga 芯片 参数 测试 方法 设备 | ||
本发明公开了基于FLASH工艺的FPGA芯片参数测试方法及设备,通过获取源文件;对所述源文件进行转换生成标准文件报文;建立所述标准文件报文与芯片的可操作单元的对应关系;获取测试报文;根据所述测试报文调整所述标准文件报文,并根据所述对应关系设置所述芯片的参数,得到测试数据。通过应用本申请的技术方案,实现了对于基于FLASH工艺FPGA芯片的多种静态参数的测试,填补了对此类器件静态参数测试上的空白,实现了静态参数测试覆盖,提高了测试覆盖率,提高了基于FLASH工艺的FPGA测试能力。
技术领域
本发明涉及集成电路测试技术领域,特别是指基于FLASH工艺的FPGA芯片参数测试方法及设备。
背景技术
FPGA(Field-Programmable Gate Array,现场可编程门阵列),它是在PAL、GAL、CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路(ASIC)领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电路的不足,又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点,应用于生活中的方方面面,目前国内主要使用基于SRAM(Static Random-AccessMemory,静态随机存取存储器)工艺的FPGA和基于FLASH(闪存)工艺的FPGA。而在航天应用中对芯片的可靠性提出了更高的要求,当高能粒子撞击可编程逻辑器件时,撞击的能量会改变器件中的可配置的SRAM单元的配置数据,使系统运行到无法预知的状态,从而引起整个系统失效。这在航天设备中是必须要避免的。以FLASH和反熔丝技术为基础的FPGA与以SRAM为基础的FPGA相比,在抗单粒子事件方面具有很大的优势,可靠性高。但就目前国内情况而言,对于基于SRAM工艺的FPGA的检测方法、资源测试方法研究较多,而对于基于FLASH工艺的FPGA的测试方法研究则处于空白阶段。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提出基于FLASH工艺的FPGA芯片参数测试方法及设备,填补了对此类器件静态参数测试上的空白,提高了测试覆盖率,提高了基于FLASH工艺的FPGA测试能力,从而保障航天武器元器件可靠性,实现型号的质量控制。
基于上述目的,一方面,本发明提供了基于FLASH工艺的FPGA芯片参数测试方法,包括:
获取源文件;
对所述源文件进行转换生成标准文件报文;
建立所述标准文件报文与芯片的可操作单元的对应关系;
获取测试报文;
根据所述测试报文调整所述标准文件报文,并根据所述对应关系设置所述芯片的参数,得到测试数据。
在一些实施方式中,所述获取源文件,具体包括:
获取所述芯片的型号类型,根据所述型号类型获取所述可操作单元的配置信息;
获取与所述配置信息对应的所述源文件;
对所述源文件进行查错检查。
在一些实施方式中,所述对所述源文件进行转换生成标准文件报文,具体包括:
对所述源文件进行设计描述转换生成标准门阵列报文,同时获得约束报文;
对所述标准门阵列报文进行优化生成所述标准文件报文;
对所述标准文件报文进行查错检查。
在一些实施方式中,所述建立所述标准文件报文与芯片的可操作单元的对应关系,具体包括:
根据所述源文件建立传输通道;
利用所述传输通道将所述标准文件报文以及所述约束报文导入所述可操作单元;
建立所述对应关系,并根据所述约束报文分配时钟单元。
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