[发明专利]一种基于光谱下转换技术的量子点荧光太阳集光器、平板型聚光光伏器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于光谱下转换技术的量子点荧光太阳集光器，包括量子点荧光太阳集光层，其特征在于：所述的量子点荧光太阳集光层的上表面设置有太阳光谱下转换层，所述的量子点荧光太阳集光层的下表面和所述的太阳光谱下转换层的上表面分别设置有用于将大部分光子限制在其内部的陷光层玻璃片，上层所述的陷光层玻璃片的上表面设置有用于减少太阳光反射的顶部减反层，下层所述的陷光层玻璃片的下表面设置有底部金属反射层，所述的太阳光谱下转换层的制备方法如下：将正硅酸乙酯、无水乙醇和去离子水按体积比6:6:3的比例均匀混合，随后在混合溶液中加入稀盐酸直至混合溶液的pH值接近2.0，将硝酸铟结晶粉末、氯化锡结晶粉末、硝酸铽结晶粉末按摩尔比In：Sn：Tb:正硅酸乙酯中含有的Si＝20:0-20:5:100的比例称取后，依次加入上述混合溶液中，剧烈搅拌直至粉末完全溶解，将混合溶液置于60-80℃水浴磁力搅拌装置中，水浴加热4-6小时，并利用磁子不断搅拌，形成透明、均一的溶胶；随后，将制备的溶胶置于280-300℃烘箱中恒温干燥，干燥后的样品呈现出淡粉色的粉末，将粉末充分研磨后，置于马弗炉中煅烧1-2小时，温度控制在900-1100℃；随后将煅烧后的粉末浸没在由正硅酸乙酯和无水乙醇按体积比10:1混合而成的混合液体中，经过磁力搅拌、恒温干燥后研磨，然后置于模具中，在15-18kN压力下，获得素坯，在180-220MPa条件下，冷等静压10-20min后，将坯体置于真空烧结炉中，在1800-1900℃条件下真空烧结得到Tb:In₂O₃/SnO₂掺杂的透明陶瓷太阳光谱下转换层。

2.一种基于光谱下转换技术的平板型聚光光伏器，其特征在于：包括权利要求1所述的基于光谱下转换技术的量子点荧光太阳集光器，所述的量子点荧光太阳集光器的四周设置有太阳能电池板，所述的太阳能电池板的外侧面固定设置有用于支撑所述的太阳能电池板的镀有导电金属的PCB板。

3.根据权利要求2所述的一种基于光谱下转换技术的平板型聚光光伏器，其特征在于：所述的太阳能电池板粘贴在所述的量子点荧光太阳集光器的四周，所述的太阳能电池板的顶部与所述的顶部减反层的下表面紧密接触，所述的太阳能电池板的底部与所述的底部金属反射层的上表面紧密接触。