[发明专利]一种不同偏振态选择性红外隐身的纳米结构有效
| 申请号： | 201910413415.4 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110161599B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张志东;张斌珍;张彦军 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;H01Q17/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 竺栋 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 不同 偏振 选择性 红外 隐身 纳米 结构 | ||
1.一种不同偏振态选择性红外隐身的纳米结构，其特征在于：包括微沟道散热层(1)，所述微沟道散热层(1)的上方设置有热电转换层(2)，所述热电转换层(2)的上方设置有超黑材料吸收层(3)，所述超黑材料吸收层(3)是由多个周期排列的卐形结构(4)组成；
所述卐形结构(4)包括金属微纳结构层(6)，所述金属微纳结构层(6)的外围包裹有第一修饰层(7)，所述金属微纳结构层(6)的上方还设置有第二修饰层(8)。
2.如权利要求1所述的一种不同偏振态选择性红外隐身的纳米结构，其特征在于：所述卐形结构(4)的周期是300nm～500nm。
3.如权利要求2所述的一种不同偏振态选择性红外隐身的纳米结构，其特征在于：所述卐形结构(4)的周期是400nm。
4.如权利要求1所述的一种不同偏振态选择性红外隐身的纳米结构，其特征在于：所述卐形结构(4)为中心对称结构。
5.如权利要求1所述的一种不同偏振态选择性红外隐身的纳米结构，其特征在于：所述卐形结构(4)与热电转换层(2)还设置有基板(5)。
6.如权利要求5所述的一种不同偏振态选择性红外隐身的纳米结构，其特征在于：所述金属微纳结构层(6)是由硅纳米管制成。
7.如权利要求5所述的一种不同偏振态选择性红外隐身的纳米结构，其特征在于：所述第一修饰层(7)是银制成。
8.如权利要求5所述的一种不同偏振态选择性红外隐身的纳米结构，其特征在于：所述第二修饰层(8)是碳纳管制成。
9.如权利要求1所述的一种不同偏振态选择性红外隐身的纳米结构，其特征在于：所述热电转换层(2)是由碲化铋制成。
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