[发明专利]硬掩模用组合物

说明书

本发明提供一种硬掩模用组合物，更详细而言，通过包含含有化学式1所表示的重复单元的聚合物和溶剂，从而能够形成具有优异的耐蚀刻性、涂布性和耐化学性的硬掩模层。下述化学式1中，R₁为取代或非取代的碳原子数6～40的芳基、取代或非取代的碳原子数6～40的杂芳基、或者取代或非取代的碳原子数1～4的烷基，R₂为氢、羟基、取代或非取代的碳原子数6～40的芳基、或者取代或非取代的碳原子数6～40的杂芳基，R₃为取代或非取代的碳原子数6～40的亚芳基、或者取代或非取代的碳原子数6～40的亚杂芳基，n为1～100的整数。化学式1

技术领域

本发明涉及硬掩模用组合物。

背景技术

近年来，随着电子设备的小型化(miniaturization)和复杂化(complexity)的高集成设计中，加快了对于更加改善了的材料和相关工序的开发。由此，利用以往光致抗蚀剂的光刻法也需要新的图案化材料和技术。

一般而言，在蚀刻对象膜上涂布光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂层，通过曝光和显影工序而形成光致抗蚀剂图案，通过将上述光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模而将上述蚀刻对象膜部分地去除，从而可以形成预定的图案。

为了抑制上述曝光工序中由光反射引起的分辨率降低，可以在上述蚀刻对象膜和上述光致抗蚀剂层之间形成防反射涂布(anti-refractive coating；ARC)层。该情况下，会追加对于上述ARC层的蚀刻，因此上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的消耗量或蚀刻量可能会增加。此外，上述蚀刻对象膜的厚度增加或形成期望的图案时所需的蚀刻量增加的情况下，可能无法确保所要求的上述光致抗蚀剂层或光致抗蚀剂图案的充分的耐蚀刻性。

因此，为了在图案化工序中使光致抗蚀剂微细图案无崩塌现象地以足够的深度转印到基板，可以形成作为坚硬的中间膜的、被称为硬掩模层(hardmask layer)的有机膜。对于这样的硬掩模层要求耐热性和耐蚀刻性等特性以能够在多种蚀刻过程期间耐受，且有必要通过旋涂工序以均匀的厚度形成。

韩国公开专利第10-2015-0031163号公开了形成硬掩模层时所使用的有机膜组合物。但被认为在提高耐蚀刻性特性方面不充分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：韩国公开专利第10-2015-0031163号

发明内容

所要解决的课题

本发明的目的在于，提供用于形成具有优异的耐蚀刻性、涂布性和耐化学性的硬掩模层的硬掩模用组合物。

解决课题的方法

本发明提供一种硬掩模用组合物，其包含下述化学式1所表示的聚合物和溶剂。

[化学式1]

(上述化学式1中，R₁为取代或非取代的碳原子数6～40的芳基、取代或非取代的碳原子数6～40的杂芳基、或者取代或非取代的碳原子数1～4的烷基，

R₂为氢、羟基、取代或非取代的碳原子数6～40的芳基、或者取代或非取代的碳原子数6～40的杂芳基，

R₃为取代或非取代的碳原子数6～40的亚芳基、或者取代或非取代的碳原子数6～40的亚杂芳基，

n为1～100的整数。)

发明效果