[发明专利]疏水性的低介电常数膜及其制备方法有效
申请号: | 201910410096.1 | 申请日: | 2019-05-17 |
公开(公告)号: | CN110129769B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 宗坚 | 申请(专利权)人: | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/458;C23C16/455;H01L23/532;B82Y30/00 |
代理公司: | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人: | 王丽芳;罗京 |
地址: | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 疏水 介电常数 及其 制备 方法 | ||
1.一种疏水性的低介电常数膜,其特征在于,其由一种或多种含氟化合物A通过等离子体增强化学气相沉积方法形成,其中所述一种或多种含氟化合物包含具有通式CxSiyOmHnF2x+2y-n+2或者CxSiyOmHnF2x+2y-n的化合物,其中x为1-20的整数,y为0-8的整数,m为0-6的整数,n为0、3、6、7、9、10、12、13、15、16、17、19。
2.根据权利要求1所述的疏水性的低介电常数膜,其由所述化合物A和一交联剂化合物B气相沉积反应形成所述疏水性的低介电常数膜。
3.根据权利要求1所述的疏水性的低介电常数膜,其由所述化合物A和一具有大位阻体积的化合物C气相沉积反应形成所述疏水性的低介电常数膜。
4.根据权利要求1所述的疏水性的低介电常数膜,其由所述化合物A、一交联剂化合物B以及一具有大位阻体积的化合物C气相沉积反应形成所述疏水性的低介电常数膜。
5.根据权利要求1-4任一所述的疏水性的低介电常数膜,其中x为1-10的整数,y为0-6的整数,m为0-3的整数。
6.根据权利要求2-4任一所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述化合物A的摩尔占比大于35%。
7.根据权利要求1-4任一所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述化合物A选自组合:四氟乙烯、六氟丙烯、六氟乙烷、六氟环氧丙烷、1H,1H,2H,2H-全氟辛基三乙氧基硅烷、三甲基氟硅烷、八氟丁烯中的一种或多种混合物。
8.根据权利要求2或4所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述化合物B选自组合:丁二烯、全氟丁二烯、戊二烯、1,2-环氧-5-己烯、己二烯、庚二烯中的一种或多种混合物。
9.根据权利要求3或4所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述化合物C选自组合:环己烷、甲苯、二甲苯、乙烯基苯、二乙烯基苯、双环戊二烯、萘、吡啶中的一种或多种混合物。
10.根据权利要求2或4所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述化合物B是含有不饱和碳碳双键的双官能团或者多官能团分子。
11.根据权利要求3或4所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述化合物C选自:环烷烃、芳烃、芳杂环。
12.根据权利要求1-4任一所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述疏水性的低介电常数膜的k值范围选自:1.8~1.9、1.9~2.0、2.0~2.1、2.1~2.2、2.2~2.3、2.3~2.4、2.4~2.5、2.5~2.6、2.6~2.7或2.7~2.8。
13.根据权利要求1-4任一所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述疏水性的低介电常数膜的静态接触角选自:110°~115°、115°~120°、120°~125°、125°~130°、130°~135°或135°~140°。
14.根据权利要求1-4任一所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述疏水性的低介电常数膜的杨氏模量范围选自:6~7GPa、7~8GPa、8~9GPa、9~10GPa、10~11GPa、11~12GPa、12~13GPa、13~14GPa或14~15GPa。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的