[发明专利]疏水性的低介电常数膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910410096.1 申请日: 2019-05-17
公开(公告)号: CN110129769B 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 宗坚 申请(专利权)人: 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/458;C23C16/455;H01L23/532;B82Y30/00
代理公司: 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 代理人: 王丽芳;罗京
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 疏水 介电常数 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种疏水性的低介电常数膜,其特征在于,其由一种或多种含氟化合物A通过等离子体增强化学气相沉积方法形成,其中所述一种或多种含氟化合物包含具有通式CxSiyOmHnF2x+2y-n+2或者CxSiyOmHnF2x+2y-n的化合物,其中x为1-20的整数,y为0-8的整数,m为0-6的整数,n为0、3、6、7、9、10、12、13、15、16、17、19。

2.根据权利要求1所述的疏水性的低介电常数膜,其由所述化合物A和一交联剂化合物B气相沉积反应形成所述疏水性的低介电常数膜。

3.根据权利要求1所述的疏水性的低介电常数膜,其由所述化合物A和一具有大位阻体积的化合物C气相沉积反应形成所述疏水性的低介电常数膜。

4.根据权利要求1所述的疏水性的低介电常数膜,其由所述化合物A、一交联剂化合物B以及一具有大位阻体积的化合物C气相沉积反应形成所述疏水性的低介电常数膜。

5.根据权利要求1-4任一所述的疏水性的低介电常数膜,其中x为1-10的整数,y为0-6的整数,m为0-3的整数。

6.根据权利要求2-4任一所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述化合物A的摩尔占比大于35%。

7.根据权利要求1-4任一所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述化合物A选自组合:四氟乙烯、六氟丙烯、六氟乙烷、六氟环氧丙烷、1H,1H,2H,2H-全氟辛基三乙氧基硅烷、三甲基氟硅烷、八氟丁烯中的一种或多种混合物。

8.根据权利要求2或4所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述化合物B选自组合:丁二烯、全氟丁二烯、戊二烯、1,2-环氧-5-己烯、己二烯、庚二烯中的一种或多种混合物。

9.根据权利要求3或4所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述化合物C选自组合:环己烷、甲苯、二甲苯、乙烯基苯、二乙烯基苯、双环戊二烯、萘、吡啶中的一种或多种混合物。

10.根据权利要求2或4所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述化合物B是含有不饱和碳碳双键的双官能团或者多官能团分子。

11.根据权利要求3或4所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述化合物C选自:环烷烃、芳烃、芳杂环。

12.根据权利要求1-4任一所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述疏水性的低介电常数膜的k值范围选自:1.8~1.9、1.9~2.0、2.0~2.1、2.1~2.2、2.2~2.3、2.3~2.4、2.4~2.5、2.5~2.6、2.6~2.7或2.7~2.8。

13.根据权利要求1-4任一所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述疏水性的低介电常数膜的静态接触角选自:110°~115°、115°~120°、120°~125°、125°~130°、130°~135°或135°~140°。

14.根据权利要求1-4任一所述的疏水性的低介电常数膜,其中所述疏水性的低介电常数膜的杨氏模量范围选自:6~7GPa、7~8GPa、8~9GPa、9~10GPa、10~11GPa、11~12GPa、12~13GPa、13~14GPa或14~15GPa。

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