[发明专利]一种对称性结构布局的压电顶针系统在审
申请号: | 201910407694.3 | 申请日: | 2019-05-15 |
公开(公告)号: | CN110137108A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 任敬之;朱起超;范杨雷;张淑兰 | 申请(专利权)人: | 北京派和科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人: | 白芳仿;宋国云 |
地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多级放大 铰链 顶针系统 压电陶瓷 顶针 压电 对称性结构 工作频率 驱动机构 微电子封装技术 垂直中心线 上下对称 生产效率 水平设置 组件固定 左右对称 框体 体内 驱动 | ||
1.一种对称性结构布局的压电顶针系统,包括顶针(1)、驱动所述顶针(1)往复运动的驱动机构和传动机构,其特征在于:所述驱动机构包括框体(2)、设置于所述框体(2)内的多铰链多级放大组件(22)和压电陶瓷(4),所述压电陶瓷(4)水平设置于所述多铰链多级放大组件(22)内且两端与所述多铰链多级放大组件(22)固定,所述多铰链多级放大组件(22)相对于所述压电陶瓷(4)的轴线上下对称,并且所述多铰链多级放大组件(22)、所述传动机构和所述顶针(1)均相对于所述压电陶瓷(4)的垂直中心线左右对称。
2.根据权利要求1所述的对称性结构布局的压电顶针系统,其特征在于:所述多铰链多级放大组件(22)包括两个装配梁(5)、两个输出梁(6)和四个连接梁(7),两个所述装配梁(5)分别与所述压电陶瓷(4)的两端连接,两个所述输出梁(6)对称设置在所述压电陶瓷(4)的轴线两侧且位于中间位置,所述连接梁(7)通过柔性铰链(8)连接相邻的所述装配梁(5)和所述输出梁(6)。
3.根据权利要求2所述的对称性结构布局的压电顶针系统,其特征在于:所述连接梁(7)与所述装配梁(5)之间所述柔性铰链(8)的设置位置靠近所述框体(2),所述连接梁(7)与所述输出梁(6)之间所述柔性铰链(8)的设置位置靠近所述压电陶瓷(4)。
4.根据权利要求3所述的对称性结构布局的压电顶针系统,其特征在于:位于下部的所述输出梁(6)与所述框体(2)固定,位于上部的所述输出梁(6)通过驱动所述传动机构控制所述顶针(1)。
5.根据权利要求1-4任一所述的对称性结构布局的压电顶针系统,其特征在于:所述传动机构包括传递杆(9),所述传递杆(9)的轴线与所述压电陶瓷(4)的垂直中心线重合,所述传递杆(9)的下端与位于上部的所述输出梁(6)接触,所述传递杆(9)外套装有导轴(10),所述导轴(10)与所述框体(2)固定,所述导轴(10)外设置有用于限位、调节所述传递杆(9)伸出长度的限位调节组件,所述传递杆(9)的上端自所述限位调节组件伸出,并通过连接轴(11)与所述顶针(1)连接。
6.根据权利要求5所述的对称性结构布局的压电顶针系统,其特征在于:所述导轴(10)下端面成型有内凹槽(18),所述传递杆(9)的下部具有第一凸台(19),所述第一凸台(19)与所述内凹槽(18)的底面之间设置有套装于所述传递杆(9)外的复位弹簧(3);在电场作用下,位于上部的所述输出梁(6)对所述传递杆(9)施加的竖直向上作用力大于所述复位弹簧(3)的恢复力。
7.根据权利要求6所述的对称性结构布局的压电顶针系统,其特征在于:所述限位调节组件包括锁紧块(13)和限位螺母(14),所述锁紧块(13)与所述框体(2)可拆卸连接,所述限位螺母(14)螺接于所述锁紧块(13)的中心孔内,所述传递杆(9)的上端自所述限位螺母(14)的中心孔伸出,所述传递杆(9)伸出所述导轴(10)且位于所述限位螺母(14)内的部分成型有第二凸台(15),所述第二凸台(15)适于与所述限位螺母(14)中心孔的台阶(16)配合限位所述传递杆(9)伸出所述限位螺母(14)的长度。
8.根据权利要求7所述的对称性结构布局的压电顶针系统,其特征在于:所述传递杆(9)伸出所述限位螺母(14)的部分连接所述连接轴(11),所述连接轴(11)进而与顶针夹持件(17)连接,所述顶针(1)固定在所述顶针夹持件(17)上。
9.根据权利要求8所述的对称性结构布局的压电顶针系统,其特征在于:位于上部的所述输出梁(6)的上表面中间位置设置有耐磨球(12),所述耐磨球(12)的球面与所述传递杆(9)的下端面点接触。
10.根据权利要求9所述的对称性结构布局的压电顶针系统,其特征在于:所述耐磨球(12)采用结构陶瓷或硬质合金材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造