[发明专利]微同轴结构、微同轴结构的制备方法及微型同轴线

说明书

本申请适用于半导体技术领域，提供了一种微同轴结构、微同轴结构的制备方法及微型同轴线，其中微同轴结构包括：通过金属层键合的第一基片和第二基片；贯穿所述第一基片和所述第二基片的通孔阵列；位于所述第一基片的键合面一侧的第一空气槽和位于所述第二基片的键合面一侧的第二空气槽形成的空气腔体结构，所述空气腔体结构为至少两个；覆盖在所述第一基片的第一面、所述第二基片的第一面和所述通孔阵列中通孔内壁的金属层，所述第一基片的第一面为与所述第一基片的键合面背向设置的一面；所述第二基片的第一面为与所述第二基片的键合面背向设置的一面。上述微同轴结构的损耗较低、隔离度较高。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及微同轴结构、微同轴结构的制备方法及微型同轴线。

背景技术

目前，在电子集成系统中，有源芯片之间的互联通常采用微带线、带状线和共面波导等传输结构。这些传统的传输结构的损耗较高，且隔离度较低。随着电子系统向毫米波和太赫兹频段的发展，传统的传输结构已然无法满足毫米波和太赫兹系统高密度集成的迫切需求。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种微同轴结构、微同轴结构的制备方法及微型同轴线，以解决现有的电子集成系统中传输结构的损耗较高、隔离度较低的问题。

本申请实施例的第一方面提供了一种微同轴结构，包括：

通过金属层键合的第一基片和第二基片；

贯穿所述第一基片和所述第二基片的通孔阵列；

位于所述第一基片的键合面一侧的第一空气槽和位于所述第二基片的键合面一侧的第二空气槽形成的空气腔体结构，所述空气腔体结构为至少两个；

覆盖在所述第一基片的第一面、所述第二基片的第一面和所述通孔阵列中通孔内壁的金属层，所述第一基片的第一面为与所述第一基片的键合面背向设置的一面，所述第二基片的第一面为与所述第二基片的键合面背向设置的一面。

可选的，所述通孔阵列为i×j阵列；

其中，为阵列的行数，j为阵列的列数，i≥2，j≥1。

可选的，所述空气腔体结构位于所述通孔阵列的两行通孔之间。

可选的，所述通孔所在行的方向与所述空气腔体结构长度所在的方向一致。

可选的，所述通孔所在行的长度大于或等于所述空气腔体结构的长度。

可选的，所述第一基片长度方向的两端在所述第二基片上的正投影均位于所述第二基片在长度方向两端的内侧，其中，所述第一基片的长度方向、第二基片的长度方向均与所述空气腔体结构的长度方向一致。

本申请实施例的第二方面提供了一种微同轴结构的制备方法，包括：

准备第一基片和第二基片；

在所述第一基片和所述第二基片的相同位置制备通孔阵列；

在所述第一基片的第一面和所述第二基片的第一面分别制备第一图形化金属层，并在所述第一基片的键合面和所述第二基片的键合面分别制备第二图形化金属层，所述第二图形化金属层包括第一图形，所述第一基片的键合面上的第一图形和所述第二基片的键合面上的第一图形对向相同；

在所述第一基片的键合面上第一图形所在的位置制备第一空气槽，并在所述第二基片的键合面上第一图形的位置制备第二空气槽；

将所述第一基片的键合面和所述第二基片的键合面对向放置，进行键合处理。

可选的，所述第一图形化金属层包括第二图形，所述第二图形化金属层包括第二图形；

将所述第一基片的键合面和所述第二基片的键合面对向设置，进行键合处理之前，所述制备方法还包括：