[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号: | 201910406564.8 | 申请日: | 2019-05-16 |
| 公开(公告)号: | CN110211971B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | 丁玎 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区域以及位于所述显示区域外侧的弯折区域,所述显示面板包括源极/漏极金属层,
在所述弯折区域内,所述显示面板包括有机光阻层,所述有机光阻层靠近所述源极/漏极金属层的一侧设有弯折区层间介质层;
所述源极/漏极金属层包括沿平行于所述显示面板表面的方向上,间隔排布的源极/漏极金属线;
在所述弯折区域内,所述弯折区层间介质层位于所述源极/漏极金属线的投影区域内,且所述弯折区层间介质层的厚度为第一预设值,所述弯折区层间介质层不为一个整体;
在所述显示区域内,所述源极/漏极金属层靠近所述有机光阻层的一侧,依次设置有显示区第一层间介质层、显示区第二层间介质层、栅极金属层以及显示区栅极绝缘层;
所述显示区第一层间介质层远离所述源极/漏极金属层的一侧表面和所述弯折区层间介质层远离所述源极/漏极金属层的一侧表面平齐,通过一道工艺制备显示区第一层间介质层和弯折区层间介质层;
在所述源极/漏极金属线的投影区域内,所述显示区第一层间介质层的厚度为所述第一预设值;在所述源极/漏极金属线的投影区域之间,所述显示区第一层间介质层的厚度为第二预设值,其中,所述第一预设值大于所述第二预设值,其中,通过干刻工艺制备,沿平行于所述显示面板表面的方向上,间隔排布的源极/漏极金属线,并将位于源极/漏极金属线的投影区域之间的显示区第一层间介质层和弯折区层间介质层的厚度,刻蚀至第二预设值。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示区第一层间介质层和所述弯折区层间介质层在第一预设温度下形成膜层,所述显示区第二层间介质层在第二预设温度下形成膜层,所述第一预设温度低于所述第二预设温度。
3.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1-2任意一项所述的显示面板。
4.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板包括显示区域以及位于所述显示区域外侧的弯折区域,所述制备方法包括:
在所述显示面板的所述弯折区域制备有机光阻层,其中,在所述显示面板的所述显示区域依次制备显示区栅极绝缘层、栅极金属层、显示区第二层间介质层,在所述显示面板的所述弯折区域制备所述有机光阻层;
在所述有机光阻层上制备弯折区层间介质层,其中,在所述显示区第二层间介质层和所述有机光阻层的表面制备第一层间介质层,其中,第一层间介质层包括位于所述显示区域的显示区第一层间介质层和位于弯折区域的弯折区层间介质层,所述显示区第一层间介质层靠近所述显示区第二层间介质层的一侧表面与所述弯折区层间介质层靠近所述有机光阻层的一侧表面平齐,通过一道工艺制备显示区第一层间介质层和弯折区层间介质层;
在所述弯折区层间介质层上制备源极/漏极金属层,其中,所述弯折区层间介质层用于在制备所述源极/漏极金属层时,减小所述有机光阻层的损失量,其中,在所述有机光阻层上制备厚度为第一预设值的所述弯折区层间介质层;在所述弯折区域内,所述弯折区层间介质层位于所述源极/漏极金属线的投影区域内,所述弯折区层间介质层不为一个整体,其中,通过干刻工艺制备,沿平行于所述显示面板表面的方向上,间隔排布的源极/漏极金属线,并将位于源极/漏极金属线的投影区域之间的显示区第一层间介质层和弯折区层间介质层的厚度,刻蚀至第二预设值。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,第一预设温度低于第二预设温度,
所述在所述显示面板的所述显示区域依次制备显示区栅极绝缘层、栅极金属层、显示区第二层间介质层,包括:
在所述第二预设温度下制备所述显示区第二层间介质层;
所述在所述显示区第二层间介质层和所述有机光阻层的表面制备第一层间介质层,包括:
在所述第一预设温度下制备所述第一层间介质层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





