[发明专利]一种离子液体源碳点修饰硅胶色谱填料的合成方法有效
| 申请号: | 201910404282.4 | 申请日: | 2019-05-14 | 
| 公开(公告)号: | CN110227427B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 | 
| 发明(设计)人: | 邱洪灯;宋丽君;张海娟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 
| 主分类号: | B01J20/286 | 分类号: | B01J20/286;B01J20/30 | 
| 代理公司: | 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 | 代理人: | 张英荷 | 
| 地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 离子 液体 源碳点 修饰 硅胶 色谱 填料 合成 方法 | ||
1.一种离子液体源碳点修饰硅胶色谱填料的合成方法,包括以下步骤:
(1)[APMIm][Br]的合成:在乙腈溶剂中,2-溴乙胺氢溴酸盐和1-甲基咪唑以等摩尔比,于75~80℃反应20~24 h;反应结束后,悬蒸除去溶剂,残余物用乙醇重结晶,得到白色固体即为离子液体溴化物[APMIm][Br];
(2)ImCDs的合成:将[APMIm][Br]和柠檬酸一水合物以2:1~3:1的摩尔比分散于水中;然后将混合物转移到高压反应釜中,于195~205℃水热反应3~5 h,得离子液体源碳点ImCDs;
(3)Sil-NH2的合成:将硅胶均匀分散在低共熔溶剂DES中,加入过量3-氨丙基三乙氧基硅烷APTES,搅拌下于100~110℃回流反应20~24 h;反应结束后进行离心,蒸馏水、乙醇交替洗涤,真空干燥,得到氨丙基硅胶Sil-NH2;
(4)Sil-ImCDs的合成:将氨丙基硅胶Sil-NH2分散在低共熔溶剂DES中,依次加入ImCDs、1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺EDC和N-N-羟基琥珀酰亚胺NHS,在氮气保护下,于55~65℃机械搅拌22~25 h;反应结束后,用水和无水乙醇进行多次交替洗涤,然后置于真空干燥箱中干燥12 h,得到修饰的色谱材料。
2.如权利要求1所述离子液体源碳点修饰硅胶色谱填料的合成方法,其特征在于:步骤(3)中,低共熔溶剂DES为氯化胆碱与乙二醇以1:3~1:4摩尔比在80~85℃下的混合物。
3.如权利要求1所述离子液体源碳点修饰硅胶色谱填料的合成方法,其特征在于:步骤(3)中,硅胶与3-氨丙基三乙氧基硅烷APTES的质量比为1:0.9~1:1。
4.如权利要求1所述离子液体源碳点修饰硅胶色谱填料的合成方法,其特征在于:步骤(4)中,Sil-NH2与ImCDs的质量比为8:1~15:1。
5.如权利要求1所述离子液体源碳点修饰硅胶色谱填料的合成方法,其特征在于:步骤(4)中,Sil-NH2与1-乙基-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺EDC的质量比为20:1~25:1。
6.如权利要求1所述离子液体源碳点修饰硅胶色谱填料的合成方法,其特征在于:步骤(4)中,Sil-NH2与N-N-羟基琥珀酰亚胺NHS的质量比为35:1~40:1。
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