[发明专利]一种二硫化钼包覆二氧化钼负极材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种二硫化钼包覆二氧化钼负极材料的制备方法，其特征在于：将金属钼前驱体在含二氧化硫的气氛内600-750℃的温度下焙烧，制得所述的二硫化钼包覆二氧化钼负极材料；所述的二硫化钼包覆二氧化钼负极材料包括二氧化钼以及原位包覆在二氧化钼表面的二硫化钼层；二硫化钼层为厚度为0.6-10 nm的2H相二硫化钼；所述的二氧化钼为单斜相二氧化钼；

所述的金属钼前驱体通过以下方法获得：在惰性气氛下煅烧MoO₃得到0.01-0.05g/L 的氧化钼蒸气，将其导入1100-1300℃焙烧室，再按0.005-0.02g/L鼓入H₂，混合反应3-8秒，将气固混合物导出，经冷却、分离固态产物得到钼粉。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的金属钼前驱体至少有一维尺寸小于100 nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：焙烧过程的温度为650-700℃。

4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于：从室温升温至450~500℃后，按2-20℃/min的升温速率升温至焙烧温度。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：从室温升温至450~500℃的升温速率为2-5℃/min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：焙烧时间为30-120 min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的含二氧化硫的气氛为纯二氧化硫气体，或者二氧化硫和保护性气氛的混合气体。

8.一种权利要求1~7任一项制备方法制得的二硫化钼包覆二氧化钼负极材料，其特征在于：包括二氧化钼以及原位包覆在二氧化钼表面的二硫化钼层；二硫化钼层为厚度为0.6-10 nm的2H相二硫化钼；所述的二氧化钼为单斜相二氧化钼。

9.一种权利要求8所述的二硫化钼包覆二氧化钼负极材料的应用，其特征在于，用作锂离子电池负极材料。