[发明专利]冷却器有效

专利信息
申请号: 201910401169.0 申请日: 2019-05-14
公开(公告)号: CN110504227B 公开(公告)日: 2023-02-21
发明(设计)人: 新井雅之;采女贵宽 申请(专利权)人: 本田技研工业株式会社
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/46
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘建
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 冷却器
【说明书】:

发明提供一种能够使被冷却体的冷却效率提高的冷却器,该冷却器通过使制冷剂在制冷剂流路内流通,来对搭载于搭载部的被冷却体进行冷却,其中,所述冷却器具备配置于所述制冷剂流路内的散热部,所述散热部具备:多个第一面,它们以随着向沿着所述制冷剂流路的流动方向的第一方向行进而接近所述搭载部侧的方式形成;以及多个第二面,它们以随着向所述第一方向行进而远离所述搭载部的方式形成,多个所述第一面与多个所述第二面在所述第一方向上交替地配置。

技术领域

本发明涉及冷却器。

背景技术

以往,已知有一种具备冷却器的半导体装置,该冷却器通过对冷却液的导入口、排出口的连接部等的形状加以改良来减少其连接部等的压力损失(例如,参照日本特开2015-079819号公报)。该半导体装置的冷却器具有:导入口及排出口,它们在壳体的相互对置的侧壁设置于对角的位置;导入路,其与导入口连接且形成于壳体内;排出路,其与排出口连接且形成于壳体内;以及导入路与排出路之间的冷却用流路。

在日本特开2015-079819号公报所记载的半导体装置的冷却器中,接近半导体元件(被冷却体)侧的制冷剂的流动、以及远离半导体元件(被冷却体)的制冷剂的流动未形成于冷却用流路内。因此,在日本特开2015-079819号公报所记载的半导体装置的冷却器中,有可能无法使半导体元件(被冷却体)的冷却效率充分提高。

发明内容

本发明的方案提供一种能够使被冷却体的冷却效率提高的冷却器。

(1)本发明的一方案的冷却器通过使制冷剂在制冷剂流路内流通,来对搭载于搭载部的被冷却体进行冷却,其中,所述冷却器具备配置于所述制冷剂流路内的散热部,所述散热部具备:多个第一面,它们以随着向沿着所述制冷剂流路的流动方向的第一方向行进而接近所述搭载部侧的方式形成;以及多个第二面,它们以随着向所述第一方向行进而远离所述搭载部的方式形成,多个所述第一面与多个所述第二面在所述第一方向上交替地配置。

(2)在上述(1)所记载的冷却器中,也可以是,所述第一面具有第一部分,该第一部分以随着向所述第一方向行进而接近与所述第一方向正交且与所述搭载部平行的第二方向的一侧的方式形成,所述第二面具有第二部分,该第二部分以随着向所述第一方向行进而接近所述第二方向的另一侧的方式形成。

(3)在上述(2)所记载的冷却器中,也可以是,所述第一面与所述第二面在沿所述第一方向观察时,形成于在所述第二方向上相互错开的位置。

(4)在上述(1)至(3)中任一项所记载的冷却器中,也可以是,多个所述第一面在沿所述第一方向观察时,分别形成于相互重叠的位置,多个所述第二面在沿所述第一方向观察时,分别形成于相互重叠的位置。

(5)在上述(2)所记载的冷却器中,也可以是,所述散热部至少包括:第一散热片,其沿所述第一方向延伸;以及第二散热片,其在所述第二方向上与所述第一散热片相邻配置,且沿所述第一方向延伸,所述第一散热片及所述第二散热片分别具备具有所述第一部分的所述第一面和具有所述第二部分的所述第二面,所述第一散热片及所述第二散热片中的一方在沿所述第一方向观察时,随着向所述第一方向行进而形成顺时针回旋的制冷剂的流动,所述第一散热片及所述第二散热片中的另一方在沿所述第一方向观察时,随着向所述第一方向行进而形成逆时针回旋的制冷剂的流动。

(6)在上述(5)所记载的冷却器中,也可以是,在沿所述第一方向观察时,所述第一散热片的所述第一面与所述第二散热片的所述第一面交叠(overlap),或者所述第一散热片的所述第二面与所述第二散热片的所述第二面交叠。

(7)在上述(2)所记载的冷却器中,也可以是,所述被冷却体在所述第二方向上,配置于配置有所述第一面的部位。

在上述(1)所记载的冷却器中,配置于制冷剂流路内的散热部具备:多个第一面,它们以随着向沿着制冷剂流路的流动方向的第一方向行进而接近被冷却体侧的方式形成;以及多个第二面,它们以随着向第一方向行进而远离被冷却体的方式形成。

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