[发明专利]基于预旋涂FABr的钙钛矿发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.基于预旋涂甲脒溴化胺的钙钛矿发光二极管，其特征在于：包括由下向上依次顺序层叠的氧化铟锡玻璃基底、空穴传输层、甲脒溴化胺层、钙钛矿发光层、电子传输层、电子注入层以及金属阴极；甲脒溴化胺层由甲脒溴化胺溶于极性溶剂后形成的甲脒溴化胺溶液旋涂制备而成，其中，极性溶剂为二甲基亚砜或N,N-二甲基酰胺；甲脒溴化胺溶液浓度为0.08～0.5mol/L。

2.根据权利要求1所述的基于预旋涂甲脒溴化胺的钙钛矿发光二极管，其特征在于：空穴传输层由有机空穴传输材料制备而成，膜层厚度为40～50nm；其中，有机空穴传输材料为聚乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸、三芳胺类化合物、胺类衍生物中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的基于预旋涂甲脒溴化胺的钙钛矿发光二极管，其特征在于：钙钛矿发光层由钙钛矿前驱液旋涂过程中滴加反溶剂制备而成，所述钙钛矿前驱液由溴化铅、甲基溴化胺与苯乙基溴化胺按照溴化铅:甲基溴化胺:苯乙基溴化胺＝1:(0.8～1):(0.5～0.8)的摩尔比溶于极性溶剂制得；所得钙钛矿前驱液中Pb²⁺浓度为0.4～0.6mol/L。

4.根据权利要求3所述的基于预旋涂甲脒溴化胺的钙钛矿发光二极管，其特征在于：极性溶剂为N,N-二甲基酰胺或二甲基亚砜；反溶剂为甲苯、氯苯、乙醚中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的基于预旋涂甲脒溴化胺的钙钛矿发光二极管，其特征在于：电子传输层由有机电子传输材料制备而成，膜层厚度为40～50nm，其中，有机电子传输材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基]、4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的基于预旋涂甲脒溴化胺的钙钛矿发光二极管，其特征在于：电子注入层由氟化锂或钙制备而成，膜层厚度为1nm。

7.据权利要求1所述的基于预旋涂甲脒溴化胺的钙钛矿发光二极管，其特征在于：金属阴极由铝或银制备而成，膜层厚度为80～100nm。

8.如权利要求1至7中任一权利要求所述的基于预旋涂甲脒溴化胺的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：将溴化铅、甲基溴化胺与苯乙基溴化胺按照溴化铅:甲基溴化胺:苯乙基溴化胺＝1:(0.8～1):(0.5～0.8)的摩尔比溶于极性溶剂，制得Pb²⁺浓度为0.4～0.6mol/L的钙钛矿前驱液；

步骤二：将甲脒溴化胺溶于极性溶剂，制得溶液浓度为0.08～0.5mol/L的甲脒溴化胺溶液；

步骤三：将步骤二生成的甲脒溴化胺溶液旋涂至覆盖有空穴传输层的氧化铟锡玻璃基底上，旋涂转速为1000～3000rpm，旋涂时间为60～120s，旋涂结束后，在50～80℃烘干，从而在空穴传输层表面形成甲脒溴化胺层；

步骤四：将步骤一制得的钙钛矿前驱液旋涂至甲脒溴化胺层上，旋涂转速为4000～5000rpm，旋涂时间为30～60s，并且在旋涂至第4～30s时边旋涂边滴加反溶剂，旋涂结束后，在30～60℃退火30s～2min，从而在甲脒溴化胺层表面形成钙钛矿发光层；

步骤五：在钙钛矿发光层上依次热蒸镀电子传输层、电子注入层以及金属阴极。

9.根据权利要求8所述的基于预旋涂甲脒溴化胺的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：

空穴传输层由有机空穴传输材料制备而成，膜层厚度为40～50nm；其中，有机空穴传输材料为聚乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸、三芳胺类化合物、胺类衍生物中的一种或多种；

极性溶剂为N,N-二甲基酰胺或二甲基亚砜；反溶剂为甲苯、氯苯、乙醚中的一种或多种；

电子传输层由有机电子传输材料制备而成，膜层厚度为40～50nm，其中，有机电子传输材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基]、4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶中的一种或多种；

电子注入层由氟化锂或钙制备而成，膜层厚度为1nm；

金属阴极由铝或银制备而成，膜层厚度为80～100nm。