[发明专利]有机发光二极管显示设备在审
| 申请号: | 201910398581.1 | 申请日: | 2019-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN110491902A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
| 发明(设计)人: | 罗志洙;金光民;金起旭;金玄俊 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 11018 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁洪源;康泉<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 扇出布线 基板 发光区域 布线结构 发光结构 外围区域 显示区域 导电层 有机发光二极管显示设备 导电图案 焊盘区域 斜线 | ||
1.一种有机发光二极管显示设备,包括:
基板,所述基板具有包括发光区域和围绕所述发光区域的外围区域的显示区域以及位于所述显示区域的一侧的焊盘区域;
在所述基板上的所述发光区域中的多个发光结构;
布置在所述基板上的所述外围区域中的多条扇出布线,所述扇出布线包括直线部分和斜线部分;以及
布置在所述扇出布线上的布线结构,所述布线结构包括:
导电层;以及
彼此间隔开并且布置在所述导电层上的多个导电图案。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述导电图案定位为与所述扇出布线重叠。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述导电层与所述导电图案直接接触。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述扇出布线和所述布线结构布置在位于所述发光区域和所述焊盘区域之间的所述外围区域处。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述扇出布线的所述直线部分中的每一个直线部分在第一方向上从所述焊盘区域延伸至所述显示区域中,并且所述扇出布线的所述斜线部分中的每一个斜线部分在与所述第一方向不同的方向上延伸。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述直线部分中的每一个直线部分和对应的斜线部分整体形成。
7.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述斜线部分中的每一个斜线部分具有连接至对应的直线部分的第一末端以及与所述发光区域的一侧对准的第二末端。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述扇出布线包括:
布置在所述基板上的下扇出布线;以及
布置在所述下扇出布线上的上扇出布线。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述下扇出布线和所述上扇出布线交替布置从而彼此不重叠。
10.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述导电图案与所述上扇出布线重叠。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述扇出布线包括第一扇出布线至第N扇出布线,其中N是大于1的整数,并且
其中在所述第一扇出布线至所述第N扇出布线之中的第K扇出布线和第K+1扇出布线位于不同层上并且彼此不重叠,其中K是在1和N之间的整数。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述导电图案包括第一导电图案至第M导电图案,其中M是大于1的整数,并且
其中在所述第一导电图案至所述第M导电图案之中的第J导电图案布置在所述第K扇出布线上,并且所述第J导电图案不与所述第K+1扇出布线重叠,其中J是在1和M之间的整数。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备,进一步包括:
沿着所述基板上的所述外围区域中的所述扇出布线的轮廓布置的绝缘中间层,
其中所述导电层在所述绝缘中间层上沿着所述绝缘中间层的轮廓布置。
14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述导电图案布置在所述绝缘中间层的所述扇出布线布置在其下的一部分上。
15.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述基板进一步包括位于所述显示区域和所述焊盘区域之间的弯曲区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910398581.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包括颜色转换面板的有机发光二极管显示器
- 下一篇:显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





