[发明专利]电容器的制造方法

说明书

本发明涉及电容器的制造方法，具有MIM构造的电容器的制造方法包括：在下部电极的上表面通过多次层叠来形成电介质的步骤；及在电介质的上表面形成上部电极的步骤。电介质包括：在下部电极的上表面形成的第一电介质层；及在第一电介质层的上表面形成且与上部电极相接的第二电介质层。形成电介质的步骤包括：在下部电极的上表面形成第一电介质层的步骤；通过喷射清洗及二流体清洗中的至少一者对第一电介质层(31)的上表面进行清洗的步骤；及在清洗后的第一电介质层的上表面形成第二电介质层的步骤。

本申请主张基于申请日为2018年5月15日的日本申请第2018-093539号的优先权。本申请援引上述日本申请记载的全部的记载内容。

技术领域

本公开说明具有MIM构造的电容器的制造方法。

背景技术

MIM(Metal Insulator Metal：金属绝缘体金属)型的电容器具有下部电极、电介质及上部电极。下部电极、电介质及上部电极依次层叠。MIM型的电容器使用于半导体集成电路等。MIM型的电容器的制造工序包括在下部电极的上表面形成电介质的工序和在电介质的上表面形成上部电极的工序。此外，电容器的制造工序包括清洗工序。清洗工序在需要清洁化的时点进行。

日本特开2001-210787号公报公开了MIM型的电容电路的制造方法。首先，形成下部电极。在下部电极的形成中，使用难以由硫酸氧化的TiN等金属。接下来，对下部电极的表面进行清洗。在清洗中，使用包含硫酸的溶液。然后，在清洗后的下部电极的表面层叠电容膜。对下部电极的表面进行了清洗的结果是，从下部电极的表面除去有机物及氧化物。其结果是，防止有机物及氧化物成为原因的泄漏电流。

日本特开2006-086155号公报公开了具有MIM型的电容器的半导体装置的制造方法。首先，使MIM型的电容器与半导体基板的第一绝缘膜进行一体化。此外，使引出配线的上部配线与半导体基板的第一绝缘膜一体化。MIM型的电容器由上部电极、电容绝缘膜及下部电极构成。接下来，将形成MIM型的电容器的区域中的第一绝缘膜除去至电容绝缘膜未露出的深度。在第一绝缘膜的除去中使用干蚀刻。接下来，将电容绝缘膜除去。在电容绝缘膜的除去中使用湿蚀刻。在电容绝缘膜的除去工序中，在电容绝缘膜未堆积光致抗蚀剂。其结果是，向电容绝缘膜未照射灰化使用的氧等离子体。因此，能够防止电容绝缘膜的平坦性的下降引起的绝缘破坏及电容绝缘膜的污染。

日本特开2014-072359号公报公开了基板的处理装置。该装置在半导体工艺中，使用二流体清洗对晶圆进行清洗。

发明内容

本公开说明具有将下部电极、电介质、上部电极层叠而成的MIM构造的电容器的制造方法。电容器的制造方法包括：在下部电极的上表面通过多次层叠来形成电介质的工序；及在电介质的上表面形成上部电极的工序。电介质包括：在下部电极的上表面形成的第一电介质层；及在第一电介质层的上表面形成且与上部电极相接的第二电介质层。形成电介质的工序中，在下部电极的上表面形成至少一层第一电介质层，通过喷射清洗及二流体清洗中的至少一者对第一电介质层的上表面进行清洗，在清洗后的第一电介质层的上表面形成第二电介质层。

附图说明

图1是表示通过本公开的电容器的制造方法得到的电容器的构造的图。

图2是表示本公开的电容器的制造方法中的主要的步骤的工序图。

图3A、图3B及图3C是用于说明本公开的电容器的制造方法中的主要的步骤的图。

图4A、图4B及图4C是用于说明本公开的电容器的制造方法中的主要的步骤的图。

图5A及图5B是表示通过比较例的电容器的制造方法能得到的比较例的电容器的构造的图。

图6A、图6B、图6C、图6D及图6E是用于说明比较例的电容器的制造方法中的主要的步骤的图。