[发明专利]用于将导电元件键合到键合对象的方法

权利要求书

1.一种用于将导电元件键合到键合对象的键合表面的方法，所述方法包括：

通过使电加热电流穿过所述导电元件的键合部分，将所述键合部分的温度从初始温度增加到升高的温度；

使用超声波发生器用按压力按压所述键合部分抵靠所述键合表面，并经由所述超声波发生器将超声波振动引入到所述键合部分中，使得所述键合部分的所述升高的温度，所述键合部分中的所述超声波信号和所述按压力同时存在并导致在所述键合部分和所述键合表面之间形成紧密且直接的键合。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述升高的温度是以下之一：

大于80℃且小于所述键合部分的熔点；或者

大于80℃且大于或等于所述键合部分的熔点。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述电加热电流经由所述超声波发生器被提供给所述键合部分。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中：

所述超声波发生器包括第一局部超声波发生器和第二局部超声波发生器；

用所述按压力按压所述键合部分抵靠所述键合表面包括：使用所述第一局部超声波发生器用第一按压力按压所述键合部分抵靠所述键合表面，以及使用所述第二局部超声波发生器用第二按压力按压所述键合部分抵靠所述键合表面，所述第二按压力是所述第一按压力的至少50％；以及

所述电加热电流经由所述第一局部超声波发生器和所述第二局部超声波发生器二者被提供给所述键合部分。

5.根据权利要求4所述的方法，其中使所述电加热电流穿过所述键合部分包括：

通过所述第一局部超声波发生器在第一接触位置电接触所述键合部分；以及

通过所述第二局部超声波发生器在第二接触位置电接触所述键合部分。

6.根据权利要求1至3中的一项所述的方法，包括：

用小于所述按压力的20％的接触力按压接触电极抵靠所述键合部分；

其中所述电加热电流经由所述超声波发生器和所述接触电极二者被提供给所述键合部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其中使所述电加热电流穿过所述键合部分包括：

通过所述超声波发生器在第一接触位置电接触所述键合部分；以及

通过所述接触电极在第二接触位置电接触所述键合部分。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中：

所述键合对象是半导体芯片；以及

所述键合表面是所述半导体芯片的金属化层的表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述半导体芯片的所述金属化层是铜层，所述铜层包括小于或等于20μm的层厚度。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中：

所述键合对象是包括陶瓷层的电路载体；以及

所述键合表面是所述电路载体的金属化层的表面。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述导电元件是以下之一：

键合线；

键合带；

金属片。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述导电元件在所述键合部分中包括至少0.3mm²的截面面积。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述按压力大于1N的最小按压力。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述按压力小于2500N的最大按压力。