[发明专利]功率模块及其封装方法

权利要求书

1.功率模块，其特征在于，包括：

承载板，包括绝缘层和设置于所述绝缘层一表面的金属层；

至少一个功率芯片和至少一个驱动芯片，分别贴装在所述金属层的远离所述绝缘层的表面，并通过键合线与所述金属层电性连接。

2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述金属层包括：

控制区，其用于贴装所述至少一个驱动芯片，所述驱动芯片通过键合线与所述控制区连接；以及

功率区，其用于贴装所述至少一个功率芯片，所述功率芯片通过键合线与所述功率区连接。

3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述驱动芯片通过金线键合方式与所述控制区连接，所述功率芯片通过铝线键合方式与所述功率区连接。

4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，还包括树脂层，所述树脂层包封承载板、驱动芯片和功率芯片于一体。

5.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于，所述承载板还包括设置在所述绝缘层的远离所述金属层的表面的散热层，所述散热层露出所述树脂层表面。

6.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述驱动芯片包括BDI自举芯片、LVIC下桥驱动芯片和/或HVIC上桥驱动芯片。

7.根据权利要求6所述的功率模块，其特征在于，所述控制区包括第一芯片焊接区域和第一电路走线区域，所述BDI自举芯片、所述LVIC下桥驱动芯片和/或HVIC上桥驱动芯片焊接在所述第一芯片焊接区域并采用金线与所述第一电路走线区域中的第一走线电路键合连接。

8.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述功率芯片包括IGBT芯片和FRD芯片。

9.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于，所述功率区包括第二芯片焊接区域和第二电路走线区域，所述IGBT芯片的发射极和FRD芯片的阳极分别采用铝线与所述第二电路走线区域中的第二走线电路键合连接；以及

所述IGBT芯片的集电极和FRD芯片的阴极焊接在所述第二芯片焊接区域。

10.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，还包括

至少一个第一引脚，其在控制区远离功率区的一侧与所述控制区电性连接；以及

至少一个第二引脚，其在功率区远离控制区的一侧与所述功率区电性连接。

11.根据权利要求10所述的功率模块，其特征在于，所述第一引脚和第二引脚均为镀锡铜引脚；所述第一引脚与第一走线电路焊接，所述第二引脚与第二走线电路焊接。

12.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于，所述树脂层为环氧树脂层。

13.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述承载板的两侧具有内凹的圆弧槽。

14.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述承载板包括双面覆铜基板或双面覆铝基板。

15.功率模块的封装方法，所述功率模块包括承载板，所述承载板包括绝缘层和设置于所述绝缘层一表面的金属层，所述金属层包括功率区和控制区，其特征在于，所述封装方法包括：

将第一引脚和第二引脚分别焊接在所述控制区和所述功率区；

将至少一个功率芯片和至少一个驱动芯片分别焊接在所述功率区和所述控制区；

采用等离子清洗方式去除上述焊接后的半成品模块的表面杂质；

采用键合方式，将所述至少一个功率芯片与所述功率区电性连接，将所述至少一个驱动芯片与所述控制区电性连接；

采用注塑成型工艺进行包封；

采用模具冲压方式，将多余引脚的连杆切除，并折弯成预设形状。