[发明专利]阵列基板、显示装置和掩模板有效
| 申请号: | 201910394681.7 | 申请日: | 2019-05-13 |
| 公开(公告)号: | CN112018147B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
| 发明(设计)人: | 杨倩;皇甫鲁江;刘利宾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;G03F1/38 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒;王小会 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示装置 模板 | ||
1.一种阵列基板,包括:像素限定层,其中,所述像素限定层具有贯穿所述像素限定层的第一开口、第二开口和第三开口,所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中每两个彼此相邻;
所述第一开口和所述第二开口之间的最小距离小于所述第一开口和所述第三开口之间的最小距离;
所述像素限定层包括第一开口限定部、第二开口限定部和第三开口限定部,所述第一开口限定部被配置为限定所述第一开口,所述第二开口限定部被配置为限定所述第二开口,所述第三开口限定部被配置为限定所述第三开口;
所述像素限定层还具有贯穿所述像素限定层的第四开口,所述第四开口、所述第一开口和所述第二开口中的每两个彼此相邻,所述像素限定层还包括第四开口限定部,所述第四开口限定部被配置为限定所述第四开口;所述第一开口和所述第二开口之间的最小距离还小于所述第一开口和所述第四开口之间的最小距离;所述第一开口和所述第二开口位于所述第三开口和所述第四开口之间,所述第一开口和所述第二开口分设在所述第三开口和所述第四开口的中心连线的两侧,
所述第一开口限定部的位于所述第一开口和所述第二开口之间的部分的坡度角与所述第三开口限定部的坡度角之比或所述第二开口限定部的位于所述第一开口和所述第二开口之间的部分的坡度角与所述第三开口限定部的坡度角之比中的至少之一为0.8-1.25。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一开口限定部的位于所述第一开口和所述第二开口之间的部分的坡度角与所述第三开口限定部的坡度角之比或所述第二开口限定部的位于所述第一开口和所述第二开口之间的部分的坡度角与所述第三开口限定部的坡度角之比中的至少之一大于等于1且小于1.2。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一开口限定部的位于所述第一开口和所述第二开口之间的部分的坡度角或所述第二开口限定部的位于所述第一开口和所述第二开口之间的部分的坡度角为28°-35°。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一开口限定部的位于所述第一开口和所述第二开口之间的部分或者所述第二开口限定部的位于所述第一开口和所述第二开口之间的部分在衬底基板上的正投影的尺寸与所述像素限定层的位于所述第一开口和所述第二开口之间的部分在所述衬底基板上的正投影的尺寸的比值为0.10-0.25。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其中,所述第一开口限定部的位于所述第一开口和所述第二开口之间的部分的坡度角与所述第四开口限定部的坡度角之比或所述第二开口限定部的位于所述第一开口和所述第二开口之间的部分的坡度角与所述第四开口限定部的坡度角之比中的至少之一为0.8-1.25。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其中,所述第一开口、所述第二开口、所述第三开口和所述第四开口分别定义第一子像素的发光区域、第二子像素的发光区域、第三子像素的发光区域和第四子像素的发光区域,所述第一子像素、所述第三子像素、所述第四子像素分别为不同颜色的子像素,所述第一子像素和所述第二子像素为相同颜色的子像素。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其中,所述第一开口的面积和所述第二开口的面积相等,所述第一开口的面积小于所述第四开口的面积,所述第四开口的面积小于所述第三开口的面积。
8.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其中,所述第一开口的靠近所述第二开口的一侧和所述第二开口的靠近所述第一开口的一侧至少之一具有距离调节部,所述距离调节部被配置为使所述第一开口和所述第二开口之间的在平行于衬底基板的方向上的距离在与所述第一开口和所述第二开口的排列方向相交的方向上逐渐变化。
9.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其中,所述第一开口的靠近所述第二开口的一侧和所述第二开口的靠近所述第一开口的一侧之间的在平行于衬底基板的方向上的距离在与所述第一开口和所述第二开口的排列方向相交的方向上为固定值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





