[发明专利]用于永磁电动机的动态制动的布置和方法和利用其的电梯在审

专利信息
申请号: 201910392657.X 申请日: 2019-05-13
公开(公告)号: CN110492793A 公开(公告)日: 2019-11-22
发明(设计)人: M.帕基宁 申请(专利权)人: 通力股份公司
主分类号: H02P3/22 分类号: H02P3/22;B66B5/02
代理公司: 11105 北京市柳沈律师事务所 代理人: 王娟<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 芬兰赫*** 国省代码: 芬兰;FI
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摘要:
搜索关键词: 相臂 电动机绕组 输入连接器 半导体开关 半导体器件 永磁电动机 彼此连接 动态制动 耦合到 短路 电梯 配置
【权利要求书】:

1.一种用于包括多个电动机绕组(2A-2C)的永磁电动机(1)的动态制动的布置(10),其中所述布置(10)包括相对于多个电动机绕组(2A-2C)的数量的相应数量的相臂(4A-4C)和输入连接器(3A-3C),其中所述输入连接器(3A-3C)中的每一个耦合到所述相臂(4A-4C)中的相应一个,并且所述相臂(4A-4C)的第二端子(42)彼此连接,

其特征在于,

所述相臂(4A-4C)中的每一个包括至少两个串联连接的半导体器件(7A,8A;7B,8B;7C,8C),其中所述输入连接器(3A-3C)中的每一个连接在所述至少两个串联连接的半导体器件(7A,8A;7B,8B;7C,8C)之间,并且所述相臂(4A-4C)的第一端子(41)彼此连接,并且所述布置(10)包括配置成用于在多个电动机绕组(2A-2C)中的每个之间形成短路的若干半导体开关(5;7A-7C;8A-8C),并且其中所述相臂(4A-4C)的第一端子(41)和所述相臂(4A-4C)的第二端子(42)进一步彼此电连接。

2.根据权利要求1所述的布置(10),其中所述相臂(4A-4C)中的每个的两个串联连接的半导体器件(7A-7C;8A-8C)中的至少一个是配置成在多个电动机绕组(2A-2C)之间形成短路的所述若干半导体开关(5;7A-7C;8A-8C)中的一个。

3.根据权利要求1所述的布置(10),其中所述相臂(4A-4C)中的每一个的所述至少两个串联连接的半导体器件(7A,8A;7B,8B;7C,8C)是半导体二极管,并且,所述相臂(4A-4C)的第一端子(41)和第二端子(42)之间的进一步电连接配置成通过配置成用于在多个电动机绕组(2A-2C)之间形成短路的若干半导体开关(5)中的一个来布置。

4.根据前述权利要求中任一项所述的布置(10),其中所述相臂(4A-4C)的第一端子(41)和第二端子(42)彼此电连接,或配置为通过电阻器(9)彼此电连接。

5.根据前述权利要求中任一项所述的布置(10),其中,所述两个串联连接的半导体器件(7A-7C;8A-8C)中的每一个是以下类型的组件之一:二极管、晶闸管、栅极可关断晶闸管、集成栅极换向晶闸管(IGCT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、碳化硅(SiC)MOSFET、双向三极管晶闸管、结栅极场效应晶体管(JFET)、或SIC-JFET。

6.根据前述权利要求中任一项所述的布置(10),其中所述若干半导体开关(5;7A-7C;8A-8C)是以下类型的半导体开关之一:晶闸管、栅极可关断晶闸管、集成栅极换向晶闸管(IGCT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、碳化硅(SiC)MOSFET、双向三极晶闸管、结栅极场效应晶体管(JFET)、SiC-JFET。

7.一种用于包括多个电动机绕组(2A-2C的)永磁电动机(1)的动态制动的布置(10),其中所述布置(10)包括相对于多个电动机绕组(2A-2C)的数量的相应数量的相臂(4A-4C)和输入连接器(3A-3C),其中所述输入连接器(3A-3C)中的每一个耦合到所述相臂(4A-4C)中的相应一个,并且所述相臂(4A-4C)的第二端子(42)彼此连接,

其特征在于,

至少第一数量的相臂(4A-4C)包括具有耦合在所述相臂(4A-4C)的第一端子(41)和第二端子(42)之间的相应的反并联半导体器件的至少两个反串联连接的半导体开关(7A,8A;7B,8B;7C,8C),其中第一数量比所述多个电动机绕组(2A-2C)的数量少一个,其中包括所述开关(7A,8A;7B,8B;7C,8C)的所述相臂(4A-4C)中的每个的所述具有相应的反并联半导体器件的至少两个反串联连接的半导体开关(7A,8A;7B,8B;7C,8C)配置用于在所述多个电动机绕组(2A-2C)之间形成短路。

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