[发明专利]一种芯片在审

专利信息
申请号: 201910390658.0 申请日: 2019-05-10
公开(公告)号: CN111916135A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 刘会娟;谢瑞杰;朱长峰 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;H01L25/07
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片
【说明书】:

发明提供一种芯片,包括:多个NAND闪存芯片;处理模块,分别与多个NAND闪存芯片的BUSY端连接,根据多个BUSY端信号生成反映多个NAND闪存芯片工作状态的状态信号,并将状态信号作为BUSY端信号发送到NAND闪存芯片的控制模块;当状态信号为BUSY时,控制模块禁止对应NAND闪存芯片的数据操作;多个封装管脚,与NAND闪存芯片中多个信号端一一对应,BUSY管脚与处理模块的输出端连接,除BUSY管脚外的其它封装管脚,分别与每个NAND闪存芯片中对应信号端连接。本发明使多个NAND闪存芯片封装后可以作为单个芯片使用在单个芯片封装的应用场景中,提高了小容量芯片使用场景的使用率。

技术领域

本发明涉及储存技术领域,特别是涉及一种芯片。

背景技术

NAND闪存是一种非易失性存储器,具有存储容量大,单位容量成本低等优点,被广泛应用于各种电子产品中。为了获得大容量的NAND闪存,通常将多个NAND闪存芯片封装在一起来增加总的存储空间。

现有技术中多个NAND闪存芯片封装后的结构如图1所示,图1中包括四个NAND闪存芯片。如图1所示,四个NAND闪存芯片除了片选信号端SELECT1:0外,四个NAND闪存芯片的其它相同的信号端均连接在一起,四个NAND闪存芯片的片选信号端SELECT1:0分别接收片选地址00/01/10/11。

现有技术中多个NAND闪存芯片的封装方式还存在以下缺陷:需要增加片选地址来选择闪存芯片进行数据操作,即在向闪存芯片发送地址的时候需要把闪存芯片的片选地址也包含进去;封装在一起的多个闪存芯片可以都处于BUSY(繁忙)状态,即可以同时进行不同的数据操作,而查看闪存芯片的工作状态时,只能查看选择的闪存芯片的工作状态,各闪存芯片无法知道其它闪存芯片的工作状态;这样,导致多个NAND闪存芯片封装后,无法和单个NAND闪存芯片封装共用控制芯片,即多个NAND闪存芯片封装后无法直接应用在单个NAND闪存芯片封装的使用场景中。

发明内容

鉴于上述问题,本发明实施例的目的在于提供一种芯片,以解决现有技术中多个NAND闪存芯片封装后无法直接应用在单个NAND闪存芯片封装的使用场景中的问题。

为了解决上述问题,本发明实施例公开了一种芯片,包括:

多个NAND闪存芯片;

处理模块,所述处理模块分别与所述多个NAND闪存芯片的BUSY端连接,所述处理模块根据所述多个NAND闪存芯片的BUSY端信号生成反映所述多个NAND闪存芯片工作状态的状态信号,并将所述状态信号作为BUSY端信号发送到每个所述NAND闪存芯片的控制模块;当所述状态信号为BUSY时,所述控制模块禁止对应NAND闪存芯片的数据操作;

多个封装管脚,所述多个封装管脚与所述NAND闪存芯片中多个信号端一一对应,所述多个封装管脚中BUSY管脚与所述处理模块的输出端连接,所述多个封装管脚中除BUSY管脚外的其它封装管脚,分别与每个所述NAND闪存芯片中对应信号端连接。

可选地,当所述多个NAND闪存芯片的BUSY端信号中至少一个信号为BUSY时,所述状态信号为BUSY。

可选地,所述芯片还包括:

第一信号传输模块,所述第一信号传输模块的输入端与所述NAND闪存芯片的BUSY端连接,所述第一信号传输模块的输出端与所述处理模块的一输入端连接,所述第一信号传输模块用于将所述NAND闪存芯片的BUSY端信号传输至所述处理模块。

可选地,所述芯片还包括:

第二信号传输模块,所述第二信号传输模块的输入端与所述处理模块的输出端连接,所述第二信号传输模块的输出端与所述NAND闪存芯片的控制模块连接,所述第二信号传输模块用于将所述芯片状态信号传输至所述NAND闪存芯片的控制模块。

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