[发明专利]一种钙钛矿单晶纳米环及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 201910390214.7 申请日: 2019-05-10
公开(公告)号: CN111908417A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 万立骏;陈尧轩;胡劲松 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: B81B1/00 分类号: B81B1/00;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 刘元霞
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 钙钛矿单晶 纳米 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿单晶纳米环,其特征在于,所述单晶纳米环具有环状形貌和单晶结构。

2.如权利要求1所述的单晶纳米环,其特征在于,所述钙钛矿单晶纳米环晶型为正交晶型、立方晶型或四方晶型。

3.如权利要求1所述的单晶纳米环,其特征在于,所述单晶纳米环具有粗细均匀的环线,直径在5μm-20μm可调,环粗细在100nm-300nm可调。

4.一种钙钛矿单晶纳米环的制备方法,包括如下步骤:

(1)将两个平整基底组合形成二维限域空间;

(2)配制钙钛矿前驱体溶液,将配制好的钙钛矿前驱体溶液与极性有机溶剂快速混合形成介稳混合溶液;

(3)将混合溶液迅速转移入基底之间的二维限域空间,加热挥发有机溶剂即可得到所述钙钛矿单晶纳米环。

5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,还包括步骤(4):

将步骤(3)制得的钙钛矿单晶纳米环使用离子交换法制备其它阳离子或阴离子的钙钛矿单晶纳米环。

6.如权利要求4或5所述的制备方法,其特征在于,所述基底包括但不限于硅片、石英片、玻璃片、高分子聚合物(PET)基底、氧化铟锡导电玻璃(ITO)片、掺杂氟的二氧化锡导电玻璃(FTO)片、石墨烯基底、云母片以及各类金属基底;可选的,对所述基底进行亲水处理和/或疏水处理。

7.如权利要求4或5所述的制备方法,其特征在于,所述有机极性溶剂和前驱体溶液的体积比为1:1-4,优选为1:1.5-2;所述极性有机溶剂选自乙腈、丙腈、乙醇、乙醚、丙酮、乙酸、乙酸甲酯、乙酸乙酯的至少一种,优选为乙腈。

8.如权利要求4或5所述的制备方法,其特征在于,所述溶液薄膜的厚度通过施加在所述基底上的压强进行调控,施加在所述基底上的压强为1-200kPa。

9.如权利要求4或5所述的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿前驱体溶液的配制方法为卤化铅,卤化铯(铷)按照摩尔比1:1的比例加入到N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中配制得到,卤素为氯、溴、碘中的至少一种。

10.权利要求1-3任一项所述钙钛矿单晶纳米环的用途,其特征在于,用于激光、电磁、压电领域。

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